[发明专利]具有用于避免硬饱和的控制回路的电压调节器

说明书

技术领域

本发明的实施例一般涉及电路领域，尤其涉及一种具有用于避免硬饱和的控制回路的低压降(low dropout)调节器。

背景技术

低压降(LDO)电压调节器是一类线性电压调节器，其具体被设计为以输入电压和输出电压之间的较小差工作。典型的LDO电压调节器在电源电压和输出电压之间连接有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MOSFET的栅极可以连接到运算放大器的输出，并且MOSFET可以与一个或更多个电阻器一起作为用于运算放大器的反馈网络的部分。

附图说明

在附图的图中，通过示例而非限制性的方式示出实施例，在附图中以类似的附图标记指示类似的单元，其中：

图1示出电压调节器；

图2示出描绘电压调节器的工作特性的曲线图；

图3示出另一电压调节器；

图4示出另一电压调节器；

图5是示出电压调节器的操作的流程图；以及

图6示出全部根据至少一些实施例实施电压调节器的无线发送设备。

具体实施方式

将使用本领域技术人员惯用的术语描述说明性实施例的各个方面，以将其工作的实质传达给本领域技术人员。然而，，对于本领域技术人员显而易见的是，可以仅使用所描述的方面中的一些方面来实现可选实施例。为了说明的目的，描述具体设备和配置以提供对说明性实施例的全面理解。然而，，对于本领域技术人员显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实现可选实施例。在其它实例中，省略或者简化公知的特征，以便不模糊说明性实施例。

此外，将以最有助于理解本发明的方式，作为多个具体操作依次描述各种操作；然而，描述的顺序不应当被解释为意指这些操作必然是依赖于顺序的。具体地，这些操作不需要按照所呈现的顺序来进行。

重复使用了表述“在一个实施例中”。该表述通常不是指同一实施例；然而，其可以是指同一实施例。除非上下文另外指出，否则术语“包括”、“具有”和“包含”是同义的。

在对结合各种实施例使用的语言提供一些澄清性上下文时，表述“A/B”和“A和/或B”意为(A)、(B)或者(A和B)；而表述“A、B和/或C”意为(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或者(A、B和C)。

这里，可能使用术语“与...耦合”以及其派生词。“耦合”可能意为两个或者更多个单元处于直接物理接触或者电接触状态。然而，“耦合”还可能意为两个或者更多个单元彼此不直接接触，但是仍然彼此协作或者相互作用，并且可能意为一个或更多个其它单元耦合或者连接在所说的彼此耦合的单元之间。

图1示出了根据本公开的一些实施例的电压调节器100。电压调节器100在一些实施例中可以是LDO电压调节器，电压调节器100包括运算放大器(op amp)102，运算放大器102具有例如反相输入104的第一输入、例如非反相输入106的第二输入、正电源端子108、负电源端子110、以及输出112。反相输入104可以与基准电压或者斜坡电压(Vref/Vramp)耦合。通常，可以将基准电压视为基本恒定的电压，而斜坡电压可以是在电压调节器100工作期间随时间改变的电压。非反相输入106可以与反馈电压(Vfb)耦合；正电源端子108可以与提供电源电压(Vsupply)的电源轨114耦合；负电源端子110与地耦合。

电压调节器100还可以包括传输晶体管M1。传输晶体管M1可以是正型(p型)MOSFET，其也被称为“PMOS晶体管”，其栅极116与opamp 102的输出112耦合；源极118与电源轨114耦合；漏极120通过分压器122与地耦合。分压器122可以包括彼此串联耦合的部件124和126。部件124和126提供串联阻抗，该串联阻抗产生作为输出端子128处的输出电压(Vout)的一部分的Vfb。

电容器130和电阻器132可以呈现外部连接的负载134的电特性。