[发明专利]一种氮化物发光二极管结构无效

专利信息
申请号: 201110092100.8 申请日: 2011-04-13
公开(公告)号: CN102738315A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 李志翔;吴东海 申请(专利权)人: 南通同方半导体有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化物 发光二极管 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及光电技术领域,特别是氮化物发光二极管结构。

背景技术

以GaN材料为代表的III-V族氮化物半导体材料被誉为第三代半导体材料,GaN基高亮度发光二极管LED在生活中无处不在,其应用领域已渗透到信号指示、户内外全彩显示屏、大中小型尺寸背光源、城市景观亮化以及室内外照明等。随着GaN基高亮度LED技术的发展及应用的开发,新一代氮化物大功率白光LED已经成为人们关注的焦点。功率型LED作为一种高效、环保和新颖的绿色固体光源,具有操作电压低、功耗小、体积小、重量轻、寿命长等诸多优点。

目前普遍应用的氮化物发光二极管材料和器件主要是利用MOCVD外延技术异质外延在蓝宝石Al2O3、碳化硅SiC、硅Si、氧化锌ZnO或者砷化镓GaAs衬底上,或同质外延生长在自支撑氮化镓GaN衬底上。除了自支撑氮化镓衬底外,其它衬底材料和III-V族氮化物材料之间都存在很大的晶格常数失配和热膨胀系数的差异,晶格常数和热膨胀系数的差异,使得外延生长高质量的氮化物材料非常困难。

现有技术中,GaN基发光二极管的结构如图1所示,具体包括:衬底20、低温缓冲层21、非掺杂化合物半导体层26、N型半导体层22、发光层23和P型半导体层24。其通过常规的GaN基发光二极管芯片工艺流程,在N型半导体层22上制作N型电极261,在P型半导体层24上制作透明导电层25和P型电极262。在上述发光二极管结构中,非掺杂化合物半导体层26的厚度一般在2-6微米,N型半导体层22的典型厚度也在2-4微米,最后形成的整个发光二极管结构的外延层厚度达10微米以上,这样厚的外延层厚度对整个发光二极管的制作是非常不利的。一是过厚的外延层厚度会在GaN基化合物半导体材料的外延过程中产生应力,使外延片处于应力状态而发生翘曲,翘曲现象会使得外延衬底20的加热温度不均匀,从而导致生长的外延层材料均匀性变差,尤其对于大尺寸衬底20而言,产品的良率大大受到限制。此外,外延片处于较大应力状态也会在后续的减薄工艺中出现破裂问题,严重影响产品的成品率,因此,外延层厚度的大小对外延层应力的控制非常关键。二是对传统的GaN基化合物半导体材料外延生长技术而言,外延层典型生长速率为每小时1-2微米,过厚的外延层厚度会严重影响生产效率,降低了设备的有效产能。

发明目的

为了解决上述现有技术中存在的问题,本发明的目的是提供一种氮化物发光二极管结构。它的外延结构中不设置非掺杂化合物半导体层,使器件的厚度大大降低,减小了外延片产生翘曲的几率,提高了外延片的良率,并能有效提高外延片的生长效率,提高设备的产能。

为了达到上述发明目的,本发明的技术方案以如下方式实现:

一种氮化物发光二极管外延结构,它包括衬底、形成于衬底上的低温缓冲层和发光半导体结构。所述发光半导体结构包括N型半导体层、发光层和P型半导体层,P型半导体层的上方为透明导电层。透明导电层上的一端置有P型电极,N型氮化镓层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是,所述低温缓冲层和N型半导体层之间不设置非掺杂化合物半导体层。

在上述氮化物发光二极管外延结构中,所述衬底采用蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化铝和氮化镓衬底材料中的一种。

在上述氮化物发光二极管外延结构中,所述低温缓冲层为数层氮化金属层,由有机金属原料与氨气于高温下反应形成,具体可为氮化镓、氮化铝、氮化铟、氮化铟镓、氮化铝镓或者氮化铝铟镓组成的单一结构或者复合结构,其中各氮化金属层的厚度范围在0.1-100纳米之间。

本发明由于采用了上述结构,由于N型半导体层直接形成在低温缓冲层上,没有非掺杂化合物半导体层的存在,整个发光二极管结构的厚度得到大大降低,减小了外延片产生翘曲的几率,提高了外延片的良率。同时,发光二极管整体外延厚度的降低可以有效提高外延片的生长效率,提高了设备的产能,能有效地提高生产效率。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。

附图说明

图1为现有技术中GaN基发光二极管结构示意图;

图2为本发明氮化物发光二极管结构示意图。

具体实施方式

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