[发明专利]一种压控振荡器无效
| 申请号： | 201110091000.3 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102158224A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李正平;王明照;林荣 | 申请（专利权）人： | 广州润芯信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 李永庆 |
| 地址： | 510000 广东省广州市经*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压控振荡器 | ||
【权利要求书】：
1. 一种压控振荡器，包括有电感（L）和电容（C）、NMOS管（M1）、NMOS管（M2），电感（L）和电容（C）并联，NMOS管（M1）和NMOS管（M2）组成NMOS互耦对， NMOS管（M1）的漏极与NMOS管（M2）的栅极相接再与电容（C）的一端连接，NMOS管（M2）的漏极与NMOS管（M1）的栅极相接再与电容（C）的另一端连接，NMOS管（M1）和NMOS管（M2）的源极相接，其特征在于：还包括有NMOS管（M3）、NMOS管（M4），NMOS管（M3）、NMOS管（M4）的漏极与NMOS管（M1）、NMOS管（M2）的源极相接，NMOS管（M3）、NMOS管（M4）的栅极分别与电容（C）的两端相连，NMOS管（M3）和NMOS管（M4）的源极相接后接地。
2. 按照权利要求1所述的一种压控振荡器，其特征在于：所述的电感（L）为COMS工艺的片上螺旋电感。
3.按照权利要求1所述的一种压控振荡器，其特征在于：所述的电容（C）为CMOS工艺的电容。
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