[发明专利]用于发光器件的发光陶瓷无效
| 申请号： | 201110090653.X | 申请日： | 2005-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102208521A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | G·O·穆勒;R·B·穆勒－马克;M·R·克拉默斯;P·J·施米特;H·贝克特尔;J·迈耶;J·德格拉夫;T·A·科普 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/58;C04B35/44;C09K11/80 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙之刚;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 发光 器件 陶瓷 | ||
1. 一种结构，包括：包含设置在n型区域（42）和p型区域（44）之间的发光层（43）的半导体发光器件（52）；以及设置在由发光层发出的光的路径中的第一陶瓷层（50，50a），该第一陶瓷层包括波长转换材料；其中该半导体发光器件生长在该第一陶瓷层上，从而该第一陶瓷层用作生长衬底。
2. 如权利要求1所述的结构，其中该第一陶瓷层包括磷光体颗粒的刚性凝聚团。
3. 如权利要求2所述的结构，其中该第一陶瓷层基本上没有粘合剂材料。
4. 如权利要求2所述的结构，其中通过在高于大气压的压强下加热磷光体粉末颗粒直到磷光体颗粒的表面开始软化并且磷光体颗粒粘接在一起，来形成第一陶瓷层。
5. 如权利要求1所述的结构，其中第一陶瓷层的表面包括透镜。
6. 如权利要求1所述的结构，其中第一陶瓷层的表面包括穹顶。
7. 如权利要求1所述的结构，其中第一陶瓷层的表面包括菲涅耳透镜。
8. 如权利要求1所述的结构，其中第一陶瓷层的表面包括光子晶体结构。
9. 如权利要求1所述的结构，其中第一陶瓷层的表面被纹理化。
10. 如权利要求1所述的结构，其中第一陶瓷层包括掺杂有掺杂剂的磷光体，其中掺杂剂的浓度是分级的。
11. 如权利要求10所述的结构，其中浓度的分级是从该第一陶瓷层的第一部分中的第一浓度到该第一陶瓷层的第二部分中的第二浓度；第一浓度高于第二浓度；并且该第一部分比该第二部分更靠近半导体发光器件。
12. 如权利要求1所述的结构，进一步包括设置在由发光层发出的光的路径中的第二陶瓷层（50b）。
13. 如权利要求12所述的结构，其中该第一陶瓷层包括第一波长转换材料；并且该第二陶瓷层包括第二波长转换材料。
14. 如权利要求12所述的结构，其中该第一陶瓷层包括波长转换材料；并且该第二陶瓷层不包括波长转换材料。
15. 如权利要求12所述的结构，其中第一和第二陶瓷层的其中一个的表面的表面积大于从其中提取光的半导体发光器件的表面的表面积。
16. 如权利要求1所述的结构，其中波长转换材料包括(Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:CeaPrb，其中0<x<1, 0<y<1, 0<z≤0.1, 0<a≤0.2以及0<b≤0.1；Lu3Al5O12:Ce3+；以及Y3Al5O12:Ce3+中的一种。
17. 如权利要求1所述的结构，进一步包括设置在该第一陶瓷层和该半导体发光器件之间的双色性过滤器。
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