[发明专利]表面带有Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金及其制备方法有效
| 申请号: | 201110090572.X | 申请日: | 2011-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN102191481A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
| 发明(设计)人: | 金国;崔秀芳;李莉;郝金龙;王忠禹 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C28/00;C23C16/06;C23C16/22;C23C16/24 |
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| 地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 带有 hf si 梯度 涂层 医用 镁合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种表面带有Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金包括医用镁合金基材,在医用镁合金基材表面有利用离子束辅助气相沉积的方法制备的Hf-Si-N梯度涂层,所述Hf-Si-N梯度涂层的总厚度小于1μm。
2.根据权利要求1所述的表面带有Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金包括医用镁合金基材,其特征是:所述Hf-Si-N梯度涂层中Si原子百分含量按照0-20%递增,N原子百分含量按照同时满足Hf∶N为1和Si∶N为3∶4变化。
3.一种带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:
(1)对镁合金基材进行前处理;(2)在前处理后的镁合金基材表面利用离子束辅助气相沉积制备一层致密Mg薄膜;(3)在制备好的Mg薄膜表面利用离子束辅助气相沉积制备Mg-Hf梯度涂层;(4)在制备好的Mg-Hf梯度涂层表面利用离子束辅助气相沉积制备Hf-N梯度涂层;(5)在制备好的Hf-N梯度涂层表面利用离子束辅助气相沉积制备Hf-Si-N梯度涂层。
4.根据权利要求3所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述Mg-Hf梯度涂层中Hf原子百分含量按照0-100%递增。
5.根据权利要求4所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述Hf-N梯度涂层中N原子百分含量按照0-50%递增。
6.根据权利要求5所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述Hf-Si-N梯度涂层中Si原子百分含量按照0-20%递增,N原子百分含量按照同时满足Hf∶N为1和Si∶N为3∶4变化。
7.根据权利要求6所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述对镁合金基材进行前处理包括:除油-磨光-抛光-超声清洗-冷风吹干。
8.根据权利要求7所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述对镁合金基材进行前处理还包括进行Ar离子轰击清洗。
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