[发明专利]表面带有Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110090572.X 申请日: 2011-04-12
公开(公告)号: CN102191481A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 金国;崔秀芳;李莉;郝金龙;王忠禹 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C28/00;C23C16/06;C23C16/22;C23C16/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 表面 带有 hf si 梯度 涂层 医用 镁合金 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种表面带有Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金包括医用镁合金基材,在医用镁合金基材表面有利用离子束辅助气相沉积的方法制备的Hf-Si-N梯度涂层,所述Hf-Si-N梯度涂层的总厚度小于1μm。

2.根据权利要求1所述的表面带有Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金包括医用镁合金基材,其特征是:所述Hf-Si-N梯度涂层中Si原子百分含量按照0-20%递增,N原子百分含量按照同时满足Hf∶N为1和Si∶N为3∶4变化。

3.一种带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:

(1)对镁合金基材进行前处理;(2)在前处理后的镁合金基材表面利用离子束辅助气相沉积制备一层致密Mg薄膜;(3)在制备好的Mg薄膜表面利用离子束辅助气相沉积制备Mg-Hf梯度涂层;(4)在制备好的Mg-Hf梯度涂层表面利用离子束辅助气相沉积制备Hf-N梯度涂层;(5)在制备好的Hf-N梯度涂层表面利用离子束辅助气相沉积制备Hf-Si-N梯度涂层。

4.根据权利要求3所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述Mg-Hf梯度涂层中Hf原子百分含量按照0-100%递增。

5.根据权利要求4所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述Hf-N梯度涂层中N原子百分含量按照0-50%递增。

6.根据权利要求5所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述Hf-Si-N梯度涂层中Si原子百分含量按照0-20%递增,N原子百分含量按照同时满足Hf∶N为1和Si∶N为3∶4变化。

7.根据权利要求6所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述对镁合金基材进行前处理包括:除油-磨光-抛光-超声清洗-冷风吹干。

8.根据权利要求7所述的带有表面Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金的制备方法,其特征是:所述对镁合金基材进行前处理还包括进行Ar离子轰击清洗。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学,未经哈尔滨工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110090572.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top