[发明专利]一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备高温超导涂层导体La₂Zr₂O₇缓冲层薄膜的方法，其步骤是：

a、无水溶液制备：将硝酸镧(La(NO₃)₃·6H₂O)和硝酸锆(Zr(NO₃)₄·5H₂O)按镧、锆的离子数量比等于1∶1的比例，溶解在乙二醇甲醚中，形成无水溶液；

b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚乙二醇-20000形成胶体；

c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上，再进行干燥；

d、热分解处理：将涂敷有胶体的基片置于烧结炉中，并在整个热分解处理过程中通入H2体积含量为5％的H2-Ar混合气，使炉温从室温以0.7℃/min的速度升至340℃-420℃，再以1.0-1.4℃/min的速度升至570℃-600℃，再保温0.5-1小时，然后让炉自然降温至室温。

e、烧结成相：将热分解处理后的基片放入烧结炉中，先往烧结炉中通入H2体积含量为5％的H2-Ar混合气，再将炉温以25-100℃/min的速度升至970℃-1000℃，保温0.5-1小时，然后让炉自然降温至室温，即得。

2.如权利要求1所述的制备高温超导涂层导体La₂Zr₂O₇缓冲层薄膜的方法，其特征是：所述b步中的聚乙二醇-20000的加入量为胶体总质量的3％-5％。

3.如权利要求1所述的制备高温超导涂层导体La₂Zr₂O₇缓冲层薄膜的方法，其特征是：所述c步中将胶体涂覆在涂层导体的基片上的具体作法为：将胶体滴在基片上，用匀胶机旋转，使胶体均匀涂覆在基片上。

4.如权利要求1所述的高温超导涂层导体La₂Zr₂O₇缓冲层薄膜的方法，其特征是：所述c步中干燥时的温度为100℃-200℃。