[发明专利]一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110087851.0 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122936A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 薛玉明;杨保和;苏林;朱亚东;刘君;宋殿友;潘宏刚;辛治军 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H3/02 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 表面波 器件 氮化 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜，其特征在于：由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层氮化铝薄膜构成，所述氮化铝薄膜是厚度为0.6-0.7μm的纳米薄膜。
2.一种如权利要求1所述用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1）在MOCVD沉积系统的进样室，对金刚石衬底表面进行等离子体清洗；
2）在MOCVD沉积系统的沉积室，采用磁控溅射工艺在金刚石衬底表面沉积一层氮化铝薄膜。
3.根据权利要求2所述用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于：所述对金刚石衬底表面进行表面等离子体清洗方法为：在MOCVD沉积系统的进样室，金刚石衬底在氩气和氮气的混合气体氛围中进行等离子体处理，氩气和氮气的质量流量比为20:4、等离子体清洗电源的灯丝电压为60-80V、加速电压为80-120V。
4.根据权利要求2所述用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于：所述在金刚石衬底表面沉积一层氮化铝薄膜的磁控溅射工艺参数为：本底真空度3×10-4 Pa、衬底旋转台转速30Hz、等离子体源功率100W、N2流量300sccm、NH3流量30sccm、工作压强5.5 Torr、衬底温度700-1000℃、Al源温度21.5℃、载气H2流量65sccm、沉积时间1-2小时。
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