[发明专利]垂直基于氮化镓的发光二极管无效
| 申请号： | 201110086887.7 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102176501A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 金东佑;吴邦元;吴正铎;白亨基;金旼柱 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/22;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 基于 氮化 发光二极管 | ||
1.一种垂直基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED)，包括：
n电极；
n型GaN层，形成在所述n电极之下，所述n型GaN层具有在与所述n电极接触的表面上形成的第二不平坦结构；
有源层，形成在所述n型GaN层之下；
p型GaN层，形成在所述有源层之下，所述p型GaN层具有在不与所述有源层接触的表面上形成的第一不平坦结构；
p型反射电极，形成在具有所述第一不平坦结构的所述p型GaN层之下；以及
支撑层，形成在所述p型反射电极之下，
其中，所述第一不平坦结构和所述第二不平坦结构中至少一个包括从由多边形结构、衍射结构、网状结构、以及它们的组合构成的组中选取的规则的不平坦结构，
其中，所述多边形结构的相邻多边形彼此间隔开等于或大于从所述有源层发射的光的波长的距离。
2.一种垂直基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED)，包括：
n电极；
n型GaN层，形成在所述n电极之下，所述n型GaN层具有在与所述n电极接触的表面上形成的第二不平坦结构；
有源层，形成在所述n型GaN层之下；
p型GaN层，形成在所述有源层之下，所述p型GaN层具有在不与所述有源层接触的表面上形成的第一不平坦结构；
p型反射电极，形成在具有所述第一不平坦结构的所述p型GaN层之下；以及
支撑层，形成在所述p型反射电极之下，其中，所述衍射结构和所述网状结构包括从由直线、曲线、以及单闭合曲线构成的组中选取的一条或多条线，
其中，所述衍射结构和所述网状结构中的线之间的宽度等于或大于从所述有源层发射的光的波长。
3.一种垂直基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED)，包括：
n电极；
n型GaN层，形成在所述n电极之下，所述n型GaN层具有在与所述n电极接触的表面上形成的第二不平坦结构；
有源层，形成在所述n型GaN层之下；
p型GaN层，形成在所述有源层之下，所述p型GaN层具有在不与所述有源层接触的表面上形成的第一不平坦结构；
p型反射电极，形成在具有所述第一不平坦结构的所述p型GaN层之下；以及
支撑层，形成在所述p型反射电极之下，
其中，所述第一不平坦结构和所述第二不平坦结构包括不规则的不平坦结构。
4.一种垂直基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED)，包括：
n电极；
n型GaN层，形成在所述n电极之下，所述n型GaN层具有在与所述n电极接触的表面上形成的第二不平坦结构；
有源层，形成在所述n型GaN层之下；
p型GaN层，形成在所述有源层之下，所述p型GaN层具有在不与所述有源层接触的表面上形成的第一不平坦结构；
p型反射电极，形成在具有所述第一不平坦结构的所述p型GaN层之下；以及
支撑层，形成在所述p型反射电极之下，
粘合层，在所述p型GaN层和所述p型反射层之间形成界面，其中，所述粘合层由金属构成，该金属与在p型GaN层的化合物中除氮之外的成分很好地反应。
5.根据权利要求1所述的垂直基于GaN的LED，其中，所述n电极位于所述n型GaN层的中心部分。
6.根据权利要求1所述的垂直基于GaN的LED，还包括：
粘合层，形成在所述p型反射电极和所述支撑层之间的界面处。
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