[发明专利]发光二极管芯片的制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管芯片的制作方法，且特别是有关于一种采用掀离制程而厚度较薄的发光二极管芯片的制作方法。

背景技术

近年由于发光二极管的发光效率不断提升，使得发光二极管在某些领域已日渐取代日光灯与白热灯泡，例如需要高速反应的扫描器灯源、液晶显示器的背光源或前光源汽车的仪表板照明、交通号志灯，以及一般的照明装置等。发光二极管的发光原理是将电能转换为光，也就是对上述的化合物半导体施加电流，通过电子、电洞的结合进行电能转换并以光的型态释放出来，进而达到发光的效果。一般来说，发光二极管的结构通常会包括具有基板、N型掺杂半导体层、主动层、P型掺杂半导体层、N型电极与P型电极。其中，以水平式发光二极管结构来说，N型掺杂半导体层配置于基板上，而主动层配置于N型掺杂半导体层与P型掺杂半导体层之间。此外，电极配置于P型掺杂半导体层上，而电极配置于N型掺杂半导体层上等结构。

在传统的发光二极管结构中，会对发光二极管进行薄化处理以使发光二极管的整体厚度变薄，例如是使用研磨制程将基板的厚度变薄，或者使用激光制程将半导体层与基板分离。然而，采用传统的研磨制程将可能导致芯片受到污染、损伤，或者在使用激光制程进行膜层分离时可能会有良率不佳或是制程耗时过久的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种发光二极管芯片的制作方法，其包括下列步骤。首先，提供基板。接着，形成缓冲层于基板上。然后，图案化缓冲层，以于缓冲层的表面上形成多个凹陷。接着，于缓冲层的表面上形成第一型半导体层，其中第一型半导体层与缓冲层接触的部分表面构成键结连接面，且位于这些凹陷内的第一型半导体层与缓冲层之间存在孔洞。之后，依序形成主动层与第二型半导体层于第一型半导体层上。接着，于第二型半导体层上形成第二电极。

本发明又提出一种发光二极管芯片的制作方法，其包括下列步骤。首先，提供基板。接着，形成第一缓冲层于基板上。之后，图案化第一缓冲层，以于第一缓冲层的表面上形成多个凹陷。接着，于第一缓冲层的表面上形成第二缓冲层，其中第二缓冲层与第一缓冲层接触的部分表面构成键结连接面，且位于这些凹陷内的第二缓冲层与第一缓冲层之间存在孔洞。而后，依序形成第一型半导体层、主动层与第二型半导体层于第一型半导体层上。接着，于第二型半导体层上形成第二电极。

本发明又提出一种发光二极管芯片的制作方法，其包括下列步骤。首先，提供基板。接着，形成缓冲层于基板上。然后，形成第一型半导体层于缓冲层上。接着，图案化第一型半导体层，以于第一型半导体层的表面上形成多个凹陷。而后，于第一型半导体层的表面上形成第二型半导体层，其中第二型半导体层与第一型半导体层接触的部分表面构成键结连接面，且位于这些凹陷内的第二型半导体层与第一型半导体层之间存在孔洞。接着，依序形成主动层与第三型半导体层于第二型半导体层上。之后，于第三型半导体层上形成第二电极。

为让本发明之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A～图1F为本发明第一实施例的发光二极管芯片的制作流程示意图。

图2A至图2B为又一实施形态的发光二极管芯片的制作流程示意图。

图3A至图3B为另一实施形态的发光二极管芯片的制作流程示意图。

图4A～图4C为本发明第二实施例的发光二极管芯片的制作流程示意图。

图5A至图5B为又一实施形态的发光二极管芯片的制作流程示意图。

图6A至图6B为另一实施形态的发光二极管芯片的制作流程示意图。

图7A～图7C为本发明第三实施例的发光二极管芯片的制作流程示意图。

图8A至图8B为又一实施形态的发光二极管芯片的制作流程示意图。

图9A至图9B为另一实施形态的发光二极管芯片的制作流程示意图。

【主要元件符号说明】

100、100a、200、200a、300、300a：发光二极管芯片

110、210、310：基板

120、120：缓冲层

122、222、322：凹陷

130、240、330：第一型半导体层

132：凸起

140、250、350：主动层

150、260、340：第二型半导体层

160、270、370：导电基板

220a：第一缓冲层

220b：第二缓冲层