[发明专利]用于有机发光二极管的表面浮雕输出耦合器的软刻蚀模塑无效

专利信息
申请号: 201110085748.2 申请日: 2007-01-29
公开(公告)号: CN102176515A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: A·希姆;华峰;J·罗杰斯 申请(专利权)人: 陶氏康宁公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张钦
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 有机 发光二极管 表面 浮雕 输出 耦合器 刻蚀
【权利要求书】:

1.一种用于有机发光二极管中的表面浮雕输出耦合的方法,包括:

在弹性体中形成图案(230),该图案(230)包括形成在柔性基片(310)上的多个浮雕结构(235);和

通过使浮雕结构(235)与有机发光二极管(305)的表面接触,将图案(230)的至少一部分层叠至有机发光二极管(305)的表面上,和不使柔性基片(310)与有机发光二极管(305)的表面接触。

2.权利要求1的方法,其中在弹性体中形成图案包括在弹性体的至少一个表面中形成所述浮雕结构,和其中所述浮雕结构具有至少一个近似等于有机发光二极管发射的光的特征波长的特性尺寸。

3.权利要求1的方法,其中在弹性体中形成图案包括在含硅弹性体中形成图案,其中所述含硅弹性体包括聚硅氧烷、含硅氧烷重复单元和有机重复单元的链段的嵌段共聚物、和硅改性的聚合物中的至少一种的固化产物。

4.权利要求3的方法,其中在含硅弹性体中形成图案包括在含硅弹性体中形成图案,其中所述含硅弹性体包括固化的聚二甲基硅氧烷(PDMS)。

5.权利要求1的方法,其中形成图案包括:

在母模图案(205)上沉积含硅组合物,其中不在所述含硅组合物和所述母模图案之间沉积隔离层;

使所述含硅组合物至少部分固化成弹性体;和

从所述母模图案(205)上取下所述至少部分固化的弹性体。

6.权利要求5的方法,其中形成图案进一步包括将含硅组合物旋转铸塑至母模图案上并且在约70℃下至少部分固化所述含硅组合物。

7.权利要求5的方法,其包括在从母模图案上取下至少部分固化的弹性体之后进行所述至少部分固化的弹性体的附加固化。

8.权利要求5的方法,其中形成图案进一步包括将所述图案粘结至柔性结构体上,和其中将图案的至少一部分表面层叠至有机发光二极管的表面包括采用在浮雕结构和有机发光二极管的表面之间的范德华相互作用而将浮雕结构层叠至有机发光二极管的表面上。

9.权利要求1的方法,其中将图案的至少一部分层叠至有机发光二极管的表面上包括用软接触层叠将图案的至少一部分层叠至表面上,或者将图案的至少一部分层叠至有机发光二极管中的玻璃基片的表面上,或者将图案的至少一部分层叠至有机发光二极管中的阳极和阴极中至少之一的表面上。

10.一种用于有机发光二极管中的表面浮雕输出耦合器的装置,其包括:

有机发光二极管(305);和

包含弹性体的图案,其中该图案包括形成在柔性基片(310)上的多个浮雕结构(300),和该浮雕结构(300)层叠至有机发光二极管(305)的至少一个表面上,和不使柔性基片(310)与有机发光二极管(305)的表面接触。

11.权利要求10的装置,其中采用在浮雕结构和有机发光二极管的表面之间的范德华相互作用而将多个浮雕结构层叠至所述有机发光二极管的至少一个表面上。

12.权利要求10的装置,其中有机发光二极管包括阳极(320)、阴极(325)、和布置在阳极(320)和阴极(325)之间的发射层(315)、以及相邻阳极(320)布置的玻璃基片(330)。

13.权利要求12的装置,其中图案的至少一部分与玻璃基片的表面相邻,或者图案的至少一部分与阴极的表面相邻。

14.权利要求10的装置,其中在弹性体的表面中的图案包括聚硅氧烷、含硅氧烷重复单元和有机重复单元的链段的嵌段共聚物、和硅改性的聚合物中的至少一种。

15.权利要求14的装置,其中在弹性体的表面中的图案包括固化的聚二甲基硅氧烷(PDMS)。

16.权利要求13的装置,其中所述图案通过以下步骤来形成:

在母模图案(205)上沉积含硅组合物,其中不在所述含硅组合物和所述母模图案(205)之间沉积隔离层;

使所述含硅组合物至少部分固化成弹性体;和

从所述母模图案(205)上取下所述至少部分固化的弹性体。

17.权利要求16的装置,其中通过在从母模图案(205)上取下至少部分固化的弹性体之后进行所述至少部分固化的弹性体的附加固化来形成图案。

18.一种通过权利要求1-9任何一项的的方法形成的产品。

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