[发明专利]半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法有效
| 申请号： | 201110084922.1 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102185045A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄涛;张娟 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 制造 过程 sio2 表面 处理 方法 | ||
1.一种半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法,包括以下步骤：
在待加工的晶片上生长SiO2层；
用等离子载氮气体处理SiO2层的表面，使SiO2表面氮化；
在经过氮化处理的SiO2表面上涂掩膜胶。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法，其特征在于所述SiO2层作为掩膜层，该处理方法还包括以下步骤：
在涂上掩膜胶后，刻蚀没有被掩膜胶遮盖的SiO2部分；
去除掩膜胶；
对晶片进行去边处理；
去除掩膜用的所述SiO2层。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法，其特征在于所述SiO2层作为钝化层，该处理方法还包括以下步骤：在涂上掩膜胶后，刻蚀没有被掩膜胶遮盖的SiO2部分；
然后去除掩膜胶，露出作为钝化层的SiO2层。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法，其特征在于：所述等离子载氮气体为氮气、笑气或者它们的混合。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法，其特征在于：
在硅衬底上生长铟镓铝氮外延多层结构，制作成所述待加工的晶片。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法，其特征在于：
在蓝宝石衬底上生长铟镓铝氮外延多层结构，制作成所述待加工的晶片。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法，其特征在于：所述等离子载氮气体处理的环境温度为230~290℃，单质氮的反应流量为450~550SCCM。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法，其特征在于：所述等离子载氮气体气处理的环境温度为260℃，单质氮气的反应流量为500SCCM，时间为2min。
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