[发明专利]运算放大器无效

专利信息
申请号: 201110084887.3 申请日: 2011-03-28
公开(公告)号: CN102710227A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 曾柏瑜;黄如琳;梁可骏 申请(专利权)人: 联咏科技股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 运算放大器
【权利要求书】:

1.一种运算放大器,用以响应于一输入电压信号产生一输出电压信号驱动一负载,该运算放大器包括:

一第一输入级,响应于一第一频率信号于该输入及该输出电压信号对应的一瞬时期间中为致能,以根据该输入及该输出电压信号的瞬时电压提供一第一中间信号;

一第二输入级,响应于一第二频率信号于该输入及该输出电压信号对应的一稳态期间中为致能,以根据该输入及该输出电压信号的稳态电压提供一第二中间信号;

一输出节点;

一第二级,耦接至该输出节点,并分别在该瞬时及该稳态期间中根据该第一及该第二中间信号提供该输出电压信号至该输出节点;以及

一输出致能开关,耦接于该输出节点及该负载之间,该输出致能开关响应于一第三频率信号于一输出致能期间中为致能,以提供该输出电压信号驱动该负载。

2.如权利要求1所述的运算放大器,其中该第一输入级包括:

一电流路径开关单元,响应于该第一频率信号在该瞬时期间中提供一偏压电流信号;及

一差动输入晶体管电路,响应于该偏压电流信号为致能,以对该输入及该输出信号进行放大来产生该第一中间信号。

3.如权利要求2所述的运算放大器,其中该差动输入晶体管电路为N型金氧半(Metal Oxide Semiconductor,MOS)晶体管电路。

4.如权利要求2所述的运算放大器,其中该差动输入晶体管电路为P型MOS晶体管电路。

5.如权利要求1所述的运算放大器,其中该第二输入级包括:

一电流路径开关单元,响应于该第二频率信号在该稳态期间中提供一偏压电流信号;及

一差动输入晶体管电路,响应于该偏压电流信号为致能,以对该输入及该输出信号进行放大来产生该第二中间信号。

6.如权利要求5所述的运算放大器,其中该差动输入晶体管电路为N型MOS晶体管电路。

7.如权利要求5所述的运算放大器,其中该差动输入晶体管电路为P型MOS晶体管电路。

8.如权利要求1所述的运算放大器,其中该输出致能期间具有一起始时点,该起始时点落在该瞬时期间中。

9.如权利要求1所述的运算放大器,其中该瞬时期间及该稳态期间彼此部份重迭。

10.如权利要求1所述的运算放大器,更包括:

一控制电路,用以提供该第一至该第三频率信号,以对该运算放大器进行时序控制。

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