[发明专利]用于等离子体处理反应腔的射频屏蔽装置

权利要求书

1.一种用于等离子体处理反应腔的射频屏蔽装置，所述等离子体处理反应腔包括反应腔壳体，所述反应腔壳体上设置有空洞，其特征在于，所述射频屏蔽装置设置在所述反应腔壳体上并至少部分覆盖所述空洞，所述射频屏蔽装置由导电弹性体材料制成。

2.根据权利要求1所述的射频屏蔽装置，其特征在于，所述反应腔壳体包括反应腔顶部、反应腔侧壁、反应腔底部。

3.根据权利要求1所述的射频屏蔽装置，其特征在于，所述等离子体处理反应腔还包括反应腔内部部件，其通过所述空洞从所述反应腔壳体内部延伸至外部，所述射频屏蔽装置至少部分覆盖所述反应腔内部部件延伸出所述空洞的剩余空隙部分，并与所述反应腔内部部件的外围接合处紧密结合。

4.根据权利要求3所述的射频屏蔽装置，其特征在于，所述反应腔内部部件为冷却通道，所述反应腔壳体包括位于所述反应腔下部的一接地板，所述空洞设置于所述接地板上，所述冷却通道通过所述空洞延伸出至所述反应腔壳体外部。

5.根据权利要求1所述的射频屏蔽装置，其特征在于，所述射频屏蔽装置采用下列任一项的方式设置于所述反应腔壳体上：按钮、挂钩、粘合、卡套。

6.根据权利要求1所述的射频屏蔽装置，其特征在于，所述导电弹性体材料为硅橡胶，所述硅橡胶中嵌入Ag或者Al颗粒。

7.根据权利要求4所述的射频屏蔽装置，其特征在于，所述等离子体处理反应腔包括至少两个冷却通道，分别为用于将设置于反应腔壳体外部的冷却装置中冷却剂传输至工艺片支撑台中以对所述工艺片支撑台上方放置的工艺片温度进行调节的第一冷却通道和用于将所述工艺片支撑台的冷却剂延伸出所述工艺片支撑台并传输至所述冷却装置的第二冷却通道。

8.根据权利要求4所述的射频屏蔽装置，其特征在于，所述等离子体处理反应腔包括四个冷却通道，分别为用于将设置于反应腔壳体外部的冷却装置中冷却剂传输至工艺片支撑台中以对所述工艺片支撑台上方放置的工艺片温度进行调节的第一冷却通道、第三冷却通道，和用于将所述工艺片支撑台的冷却剂延伸出所述工艺片支撑台并传输至所述冷却装置的第二冷却通道、第四冷却通道，其中，所述第一冷却通道和第二冷却通道用于对所述工艺片的中央区域进行温度控制，所述第三冷却通道和第四冷却通道用于对工艺片的边缘区域进行温度控制。

9.根据权利要求3所述的射频屏蔽装置，其特征在于，所述反应腔内部部件包括传感器光线管或气缸气管。

10.一种等离子体处理反应腔，其特征在于，所述等离子体处理反应腔包括根据权利要求1至9任一项所述的射频屏蔽装置。