[发明专利]透明导电薄膜及光电转换元件

权利要求书

1.一种透明导电薄膜，其包括：

第一导体层，其由具有第一比电阻的第一透明导电氧化物形成；以及

第二导体层，其层压在所述第一导体层上，具有大于等于所述第一比电阻且小于等于1*10⁶Ω*cm的第二比电阻，并且由含钛的第二透明导电氧化物形成。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，

其中层压所述第二导体层后的薄层阻抗相对于所述第一导体层单体的薄层阻抗的增加量为10Ω/□或者更小。

3.根据权利要求2所述的透明导电薄膜，

其中所述第一透明导电氧化物是含铟的锡氧化物。

4.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，还包括

第三导体层，其设置在所述第一导体层内部，具有小于所述第一比电阻的第三比电阻，并且形成为格状。

5.一种光电转换元件，其包括：

第一电极，其包括第一导体层和第二导体层，所述第一导体层由具有第一比电阻的第一透明导电氧化物形成，所述第二导体层层压在所述第一导体层上，具有大于等于所述第一比电阻且小于等于1*10⁶Ω*cm的第二比电阻，并且由含钛的第二透明导电氧化物形成；

氧化物半导体层，其与所述第二导体层接触，并且承载光敏化颜料；

第二电极，其与所述氧化物半导体层相对；以及

电解质层，其设置在所述氧化物半导体层与所述第二电极之间。

6.根据权利要求5所述的光电转换元件，

其中所述氧化物半导体层由多孔的氧化钛形成。