[发明专利]一种压电厚膜驱动的横向MEMS微驱动器及其制作方法

权利要求书

1.一种压电厚膜驱动的横向MEMS微驱动器，其特征在于：包括由衬底形成的“T”形截面悬臂梁和两个PZT压电厚膜驱动层；两个压电厚膜驱动层位于“T”形截面悬臂梁的上表面并呈对称分布，其中PZT压电厚膜驱动层的厚度大于1μm。

2.如权利要求1所述的压电厚膜驱动的横向MEMS微驱动器的制作方法，其特征在于具体步骤如下：

1)在Si基片双面生长一层SiO₂，并刻蚀背面SiO₂形成方形刻蚀窗口；运用深硅干法刻蚀技术刻蚀Si基片背面窗口并达到所需深度，形成深槽；

2)运用溶胶-凝胶法在图形化电极的Pt/Ti/SiO₂/Si基片正面制备厚度大于2μm的PZT压电厚膜，经过PZT厚膜的湿法刻蚀技术形成两个压电厚膜驱动层结构图形；

3)利用溅射和剥离工艺在PZT压电厚膜表面制作Pt/Ti双层金属上电极及引线；

4)利用干法刻蚀技术刻蚀Si基片正面，刻蚀深度即为压电悬臂梁结构层厚度；

5)利用光刻工艺，在Si基片背面深槽中形成两个对称刻蚀窗口，窗口之间距离即为“T”形截面悬臂梁垂直侧壁结构的宽度；运用深硅干法刻蚀技术刻蚀Si基片背面两个窗口并与正面深槽穿通完成悬浮结构释放，最终形成压电厚膜驱动的“T”形截面悬臂梁式横向MEMS微驱动器。