[发明专利]动态晶圆对位方法及曝光扫瞄系统有效
| 申请号: | 201110083177.9 | 申请日: | 2011-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN102486995A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
| 发明(设计)人: | 邱垂福;施江林 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/68;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
| 地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 动态 对位 方法 曝光 系统 | ||
1.一种在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中所述曝光扫瞄系统具有扫瞄路径,包含曝光设备、光学感测设备以及晶圆平台,所述方法包括以下步骤:
(a)提供晶圆,所述晶圆具有多个曝光照射区,其中每个曝光照射区上具有多个对位记号;
(b)在所述晶圆上形成光阻层;
(c)利用所述光学感测设备,沿着所述扫瞄路径,侦测位于一曝光照射区的一部份的所述对位记号,得到针对所述一曝光照射区的所述一部份的晶圆对位的补偿值;
(d)将所述一曝光照射区的所述一部份的晶圆对位的所述补偿值实时回馈至所述晶圆平台;
(e)在实时地将所述一曝光照射区的所述部份的晶圆对位的所述补偿值回馈至所述晶圆平台之后,利用所述曝光设备,沿着所述扫瞄路径,对位于所述一曝光照射区的所述一部份的所述光阻层进行曝光;
(f)在所述一曝光照射区,沿着所述扫瞄路径连续地重复步骤(c)至(e),直至位于所述一曝光照射区的全部的所述光阻层都被曝光;以及
(g)重复步骤(f),直至位于所述晶圆上全部的所述多个曝光照射区的所述光阻层都被曝光。
2.如权利要求1所述的在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中在所述一曝光照射区内侦测所述对位记号,实时地将晶圆对位的所述补偿值回馈至所述晶圆平台,以及同时进行对所述光阻层的曝光。
3.如权利要求2所述的在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中沿着所述扫瞄路径对位于一曝光照射区的一部份的所述对位记号进行侦测时,同时沿着该扫瞄路径对邻接于所述曝光照射区的所述一部份的另一部份的所述光阻层进行曝光。
4.如权利要求1所述的在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中所述光学感测设备具有多个对位记号传感器。
5.如权利要求4所述的在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中所述对位记号传感器是依据所述对位记号的位置而设置的。
6.如权利要求1所述的在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中侦测用于晶圆对位的所述对位记号以及对所述光阻层进行曝光是在相同的所述晶圆平台上进行的。
7.如权利要求1所述的在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中每个曝光照射区包括多个芯片,以及设置在任意两个相邻的所述芯片之间的切割线,其中所述对位记号设置在所述切割线上。
8.如权利要求1所述的在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中用于晶圆对位的所述补偿值包括晶圆偏移的补偿值、晶圆旋转的补偿值、晶圆倾斜的补偿值或晶圆偏移的补偿值、晶圆旋转的补偿值、晶圆倾斜的补偿值的组合。
9.如权利要求1所述的在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中每个曝光照射区的晶圆对位的补偿值都不同。
10.如权利要求1所述的在曝光扫瞄系统中的动态晶圆对位方法,其中针对一个曝光照射区,所述曝光设备与所述光学感测设备具有相同的所述扫瞄路径。
11.一种用于动态晶圆对位的曝光扫瞄系统,包括:
曝光设备;
光学感测设备,具有多个对位记号传感器,设置于所述曝光设备上;以及
单一的晶圆平台,设置于所述曝光设备下方,
其中所述光学感测设备侦测在晶圆上的多个对位记号,得到所述动态晶圆对位的补偿值,并且实时地将所述动态晶圆对位的所述补偿值回馈至所述单一的晶圆平台,在实时地将所述动态晶圆对位的所述补偿值回馈至所述单一的晶圆平台之后,所述曝光设备对所述晶圆上的光阻层进行曝光。
12.如权利要求11所述的用于动态晶圆对位的曝光扫瞄系统,其中所述对位记号传感器是依据所述晶圆上的所述对位记号的位置而设置的。
13.如权利要求11所述的用于动态晶圆对位的曝光扫瞄系统,其中所述曝光设备与所述光学感测设备具有相同的扫瞄路径。
14.如权利要求13所述的用于动态晶圆对位的曝光扫瞄系统,其中所述曝光设备与所述光学感测设备的操作是沿着所述相同的扫瞄路径同时执行的。
15.如权利要求11所述的用于动态晶圆对位的曝光扫瞄系统,其中所述曝光设备与所述光学感测设备的操作在所述单一的晶圆平台上执行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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