[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110081813.4 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102738082A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李超伟;黄怡;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供一个经过应力记忆处理的CMOS器件，其包括位于NMOS上的氮化硅应力层，位于器件背部的氮化硅薄膜；
在整个器件上形成一层有机涂层；
去除部分有机涂层以暴露出NMOS栅顶部的氮化硅应力层；
去除部分暴露的氮化硅应力层；
去除残余的有机涂层；
去除NMOS上残余的氮化硅应力层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用旋涂法形成所述有机涂层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机涂层为底部抗反射涂层（BARC）。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除有机涂层采用干法蚀刻。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，蚀刻气体包括HBr/O2 , 其中HBr的流量为30-80sccm，O2的流量为5-20sccm。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，HBr的流量为 60sccm，O2的流量为10sccm。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，蚀刻过程是在气压2-6mTorr，功率300-600W，射频偏压50-200V，静电吸盘内温/外温为57/50℃，改变能量分布的参数TCCT为0.5的条件下进行的。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，蚀刻过程是在气压4 mTorr，功率500W，射频偏压100V的条件下进行的。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一次去除有机涂层之后，PMOS栅顶部残余的有机涂层的厚度不大于100埃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除NMOS上的氮化硅应力层采用干法蚀刻。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，蚀刻气体包括CF4/CHF3/Ar/He/O2 , 其中CF4的流量为150-210sccm，CHF3的流量为150-210sccm，Ar的流量为230-320sccm，He的流量为230-320sccm，O2的流量为15-30sccm。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，CF4的流量为190sccm，CHF3的流量为190sccm，Ar的流量为285sccm，He的流量为285sccm，O2的流量为23sccm。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，蚀刻过程是在气压10-20mTorr，功率300-600W，射频偏压300-600V，静电吸盘内温/外温为50/46℃，改变能量分布的参数TCCT为0.3的条件下进行的。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，蚀刻过程是在气压15mTorr，功率500W，射频偏压500V的条件下进行的。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一次去除NMOS上的氮化硅应力层之后，NMOS栅顶部的氮化硅应力层的厚度大于50埃。
16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，两次去除有机涂层的工艺条件相同。
17.根据权利要求 1所述的方法， 其特征在于，两次去除NMOS上氮化硅应力层的工艺条件相同。
18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除有机涂层和NMOS上的氮化硅应力层采用原位蚀刻工艺。
19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅应力层为富硅氮化硅应力层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
