[发明专利]光掩模及其制造方法

权利要求书

1.一种光掩模，其用于液晶显示装置的制造，该光掩模具有用于转印到抗蚀剂膜上的转印图案，所述抗蚀剂膜形成在待蚀刻加工的被加工体上，该光掩模的特征在于，

在所述光掩模的转印区域中具有由透光部和半透光部构成的包含线与间隙图案的转印图案，该转印图案是通过对形成在透明基板上的半透光膜进行构图而得到的，

在所述光掩模的转印区域外，具有对形成在所述透明基板上的遮光膜进行构图而得到的标记图案。

2.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，

所述转印图案用于通过湿蚀刻形成透明电极。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，

所述光掩模通过蚀刻加工而在所述被加工体上形成线宽LP与间隙宽度SP相等的线与间隙图案，并且所述光掩模的转印图案包含线宽LM比间隙宽度SM大的线与间隙图案。

4.根据权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，

所述线与间隙图案的节距大于等于2μm且小于7μm，所述节距是线与间隙的线宽的合计。

5.根据权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，

所述标记图案具有露出透明基板的透光部和露出遮光膜的遮光部。

6.根据权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，

在设所述透光部的透射率为100％时，所述半透光部的透射率大于等于1％且小于等于30％。

7.一种光掩模的制造方法，该光掩模在转印区域中具有包含线与间隙图案的转印图案，且在转印区域外具有标记图案，该制造方法的特征在于，具有以下工序：

在透明基板上形成遮光膜；

对所述遮光膜进行构图而去除所述转印区域内的所述遮光膜，并且在所述转印区域外形成标记图案；

在所述标记图案上设置了掩模的状态下，在所述透明基板上形成半透光膜；以及

对所述半透光膜进行构图而形成由透光部和半透光部形成的所述转印图案。

8.一种光掩模的制造方法，该光掩模在转印区域中具有包含线与间隙图案的转印图案，且在所述转印区域外具有标记图案，该制造方法的特征在于，具有以下工序：

在透明基板上形成半透光膜；

在所述半透光膜上形成遮光膜；

在形成于所述遮光膜上的抗蚀剂膜上，绘制所述转印图案和所述标记图案并进行显影，由此形成第1抗蚀剂图案，利用所述第1抗蚀剂图案对所述遮光膜和所述半透光膜进行构图，由此形成所述遮光膜与所述半透光膜的层叠图案；

去除所述第1抗蚀剂图案，之后，以露出位于转印区域中的所述遮光膜与所述半透光膜的层叠图案的方式形成第2抗蚀剂图案；以及

利用所述第2抗蚀剂图案去除形成于所述半透光膜上的所述遮光膜，由此形成转印图案和标记图案，其中，所述转印图案由透光部和半透光部形成，所述标记图案由透光部和露出的遮光膜图案形成。

9.一种光掩模的制造方法，该光掩模在转印区域中具有包含线与间隙图案的转印图案，且在所述转印区域外具有标记图案，该制造方法的特征在于，具有以下工序：

在透明基板上的转印区域外设置了掩模的状态下，形成半透光膜；

在所述半透光膜和所露出的所述透明基板上，形成遮光膜；

在形成于所述遮光膜上的抗蚀剂膜上，绘制所述转印图案和所述标记图案并进行显影，由此形成第1抗蚀剂图案，利用所述第1抗蚀剂图案对所述遮光膜和所述半透光膜进行构图，由此在所述转印区域中形成所述遮光膜与所述半透光膜的层叠图案，在所述转印区域外形成遮光膜图案；

去除所述第1抗蚀剂图案，之后，以露出所述转印区域的层叠图案的方式形成第2抗蚀剂图案；以及

利用所述第2抗蚀剂图案去除形成于所述半透光膜上的所述遮光膜，由此形成转印图案和标记图案，其中，所述转印图案由透光部和半透光部形成，所述标记图案由透光部和遮光膜图案形成。

10.一种图案转印方法，其特征在于，使用权利要求1或2所述的光掩模，在被加工体上的抗蚀剂膜上，进行具有i线～g线范围的曝光光源的曝光机的曝光，利用所得到的抗蚀剂图案进行湿蚀刻，由此加工出线与间隙的宽度相等的图案。

11.一种图案转印方法，其特征在于，使用通过权利要求7～9中任意一项所述的制造方法制成的光掩模，在被加工体上的抗蚀剂膜上，进行具有i线～g线范围的曝光光源的曝光机的曝光，利用所得到的抗蚀剂图案进行湿蚀刻，由此加工出线与间隙的宽度相等的图案。