[发明专利]有机发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光装置，包括：

阳极；

所述阳极上的包括氧化物半导体的空穴充入层；

形成在所述空穴充入层上的至少一个有机层；和

形成在所述有机层上的阴极。

2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述空穴充入层为包括In、Ga和Zn的氧化物半导体，或包括In、Zn和Hf的氧化物半导体。

3.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中在包括In、Ga和Zn的所述氧化物半导体中，所述In、Ga和Zn的含量分别为30至50原子％，30至50原子％和10至35原子％。

4.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中在包括In、Zn和Hf的所述氧化物半导体中，所述In、Zn和Hf的含量分别为35至55原子％，35至55原子％和5至15原子％。

5.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中所述氧化物半导体的带隙能为3至3.5eV，且所述氧化物半导体的价带能在所述阳极的功函和接触所述空穴充入层的所述有机层的最高占有分子轨道能之间。

6.根据权利要求5所述的有机发光装置，其中所述氧化物半导体的能态包括带尾态能级和深态能级。

7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机层包括发光层。

8.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中所述空穴充入层和所述发光层共享发光区域。

9.根据权利要求8所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置发出400nm至700nm的光。

10.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中所述有机层进一步包括在所述空穴充入层和所述发光层之间的选自由空穴注入层和空穴传输层组成的组中的至少一层。

11.根据权利要求7或8所述的有机发光装置，进一步包括在所述发光层和所述阴极之间的选自由电子传输层和电子注入层组成的组中的至少一层。

12.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述阳极包括氧化铟锡或氧化铟锌。

13.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置发出蓝光、红光或绿光。

14.根据权利要求1所述的有机发光装置，进一步包括：

基板；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在所述基板上的栅极、形成在所述栅极和所述基板上的栅绝缘层、面向所述栅极并形成在所述栅绝缘层上的有源层，以及与所述有源层电连接的源极和漏极；和

绝缘层，

其中所述阳极穿过所述绝缘层接触所述源极和所述漏极。

15.一种制造有机发光装置的方法，所述方法包括：

形成阳极；

在所述阳极上形成包括氧化物半导体的空穴充入层；

在所述空穴充入层上形成至少一个有机层；和

在所述有机层上形成阴极。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述空穴充入层为包括In、Ga和Zn的氧化物半导体，或包括In、Zn和Hf的氧化物半导体。

17.根据权利要求15所述的方法，其中在包括In、Ga和Zn的所述氧化物半导体中，所述In、Ga和Zn的含量分别为30至50原子％，30至50原子％和10至35原子％。

18.根据权利要求15所述的方法，其中在包括In、Zn和Hf的所述氧化物半导体中，所述In、Zn和Hf的含量分别为35至55原子％，35至55原子％和5至15原子％。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述氧化物半导体的带隙能为3至3.5eV，且所述氧化物半导体的价带能在所述阳极的功函和接触所述空穴充入层的所述有机层的最高占有分子轨道能之间。