[发明专利]叉指状紫外增强型选择性硅光电二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管，包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，其特征在于：n阱上的感光窗口为叉指状结构，叉指状结构的掺杂类型为n型和p型相间。

2.根据权利1所述的高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管，其特征在于:所述感光窗口为多个叉指状结构的阵列排布。

3.一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管的制作方法，包括以下步骤：

1) 在P型硅衬底上注入一层n阱；

2) P型硅衬底上注入两个P⁺掺杂区；

3) 在n阱内靠近P型衬底上的P⁺掺杂区注入两个N⁺掺杂区；

4) 在n阱上用叉指状掩膜版作为光刻掩膜版，光刻出叉指状窗口，进行硼离子注入，退火，激活硼离子，形成叉指状P⁺阳极；

5) 在叉指状P⁺阳极周围注入硼离子，形成p阱；

6) 在器件的上表面生长一层氧化层；

7）用叉指状掩膜版作为光刻掩膜版，光刻掉P⁺阳极上的氧化层；

8) 通过蒸发镀铝膜的方法在器件表面生成一层铝层；

9）用叉指状掩膜版作为光刻掩膜版，光刻掉P⁺阳极上的铝层，得到铝电极。

4.根据权利要求3或4所述高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管的制作方法，所述步骤4)中用叉指状掩膜版制作多个叉指状结构的阵列排布，并形成叉指状P⁺阳极的阵列排布。