[发明专利]基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片

权利要求书

1.一种基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片，其特征在于：该LED芯片自上而下由蓝宝石衬底（1）、Al_xGa_1-x N组分渐变缓冲层（2）、n型GaN外延层（3）、InGaN/GaN多量子阱（4）、p型GaN层（5）、透明ITO导电薄膜（6）、倒装焊电极（7）以及导电性良好的硅衬底（8）组成；所述蓝宝石衬底（1）的上表面均布设有m个凹孔Ⅰ（9），10²≤m≤10⁴，下表面均布设有n个凹孔Ⅱ（10），10²≤n≤10⁴；所述Al_xGa_1-xN组分渐变缓冲层（2）由k个非掺杂Al_xGa_1-xN外延材料构成的单元层组成，3≤k≤10，k个单元层由上向下各层中Al组分满足：1≥x1>x2>……xn≥0。

2.根据权利要求1所述的基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片，其特征在于：所述蓝宝石衬底（1）上的凹孔Ⅰ（9）和凹孔Ⅱ（10）为倒锥V形、倒锥金字塔形、圆桶形、半圆球形中的任一种结构。

3.根据权利要求1或2所述的基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片，其特征在于：所述凹孔Ⅰ（9）和凹孔Ⅱ（10）的横向最大尺寸在0.5～5μm之间，凹孔Ⅰ（9）和凹孔Ⅱ（10）的深度在0.5～2μm之间，相邻凹孔Ⅰ（9）之间的间距以及相邻凹孔Ⅱ（10）之间的间距在0.5～5μm。

4.根据权利要求3所述的基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片，其特征在于：所述Al_xGa_1-xN组分渐变缓冲层（2）的每个单元层厚度在0.5～1.5μm；Al_xGa_1-xN组分渐变缓冲层（2）的总厚度在1.5～4.5μm。