[发明专利]高效可靠的直流到交流转换电路无效

专利信息
申请号: 201110078434.X 申请日: 2011-03-29
公开(公告)号: CN102237815A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 欧余斯;李新富;郭华为;宋元斌 申请(专利权)人: 杭州浙大桑尼能源科技有限公司
主分类号: H02M7/537 分类号: H02M7/537
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 刘晓春
地址: 310052 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 高效 可靠 直流 交流 转换 电路
【说明书】:

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域,特别涉及一种直流到交流转换电路。 

背景技术

众所周知,交流转换直流稳压电源,已是较为成熟的技术,而由直接电压转换为交流电压的逆变器,起步较晚,早期设计主要使用低频变压器,但体积大而笨重,效率也低。 

如今已有将光电直流源的直流电压转换为交流电压的方法,但存在效率低、输入端子上容易出现高频电压的问题,专利200510079923.1是将直流电压源的直流电压转换为交流电压的方法,其实现了直流转换交流的功能,并避免了输入端子上出现的高频电压(EMV问题小),同时实现了高效率的转换。 

因此,如何设计一种直流转换交流的电路,并且也能克服输入端子上出现的高频电压,达到高效率转换的功能,即为本案发明人所欲解决的方向所在。 

发明内容

本发明的目的是提供一种直流电压转换成交流电压的电路,实现直流转换为交流的高效率转换功能,并避免了输入端子上出现高频电压,且使输出电流共模成分小。为此,本发明采用以下技术方案:它包括:六个开关器件、两个二极管、两个电感; 

所述六个开关器件中的第一开关器件、第二开关器件、第五开关器件、第六开关器件为金属氧化物半导体场效应管MOSFET,第三开关器件、第四开关器件为绝缘栅双极型晶体管IGBT;

第一开关器件、第三开关器件、第五开关器件相串联且连接于电容两端;

第二开关器件、第四开关器件、第六开关器件相串联且连接于电容两端;

所述两个二极管中的第七二极管负极连接于第三开关器件的集电极,正极连接于第四开关器件的发射极;

所述两个二极管中的第八二极管负极连接于第四开关器件的集电极,正极连接于第三开关器件的发射极;

所述两个电感中的第一电感的第一端连接于第四开关器件的集电极、第八二极管负极;

所述两个电感中的第二电感的第一端连接于第三开关器件的集电极、第七二极管负极;

第一电感的第二端及第二电感的第二端连接于市电或交流负载。

在采用上述技术方案的基础上,本发明还可采用以下进一步的技术方案: 

所述第一开关器件、所述第二开关器件、所述第五开关器件及所述第六开关器件是选用对称的开关管。

所述的第三开关器件、第四开关器件为以50Hz的输出频率被触发的开关器件。 

所述的第一开关器件、第二开关器件、第五开关器件及第六开关器件为以一个KHz范围内的脉冲信号和50Hz的信号触发的开关器件。 

所述的一个KHz的脉冲信号为16KHZ的脉冲信号。 

由于采用本发明的技术方案,本发明实现了直流转换为交流的高效率转换功能,并避免了输入端子上出现高频电压,且输出电流共模成分小。 

附图说明

图1为本发明的电路示意图。 

图2为图1所示电路在正半波期间,第二开关器件S2、第五开关器件S5同步地被触发开通时的电流回路示意图。 

图3为图1所示电路在正半波期间,第二开关器件S2、第五开关器件S5同步地被触发关断时的电流回路示意图。 

图4为图1所示电路在负半波期间,第一开关器件S1、第六开关器件S6同步地被触发开通时的电流回路示意图。 

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式进一步说明本发明。 

如图1所述,所述的直流到交流转换电路包括:六个开关器件S1-S6、两个二极管D7-D8、两个电感L1-L2;其中第一开关器件S1、第二开关器件S2、第五开关器件S5、第六开关器件S6为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),第三开关器件S3、第四开关器件S4为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。 

第一开关器件S1、第三开关器件S3、第五开关器件S5相串联且连接于电容C1两端,第二开关器件S2、第四开关器件S4、第六开关器件S6相串联且连接于电容两端C1;第七二极管D7负极连接于第三开关器件S3的集电极,正极连接于第四开关器件S4的发射极;第八二极管D8负极连接于第四开关器件S4的集电极,正极连接于第三开关器件S3的发射极;第一电感L1的第一端连接于第四开关器件S4的集电极及第八二极管D8负极;第二电感L2的第一端连接于第三开关器件S3的集电极及第七二极管D7负极,第一电感L1的第二端及第二电感L2的第二端连接于市电或交流负载。 

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