[发明专利]高功函数多层导电膜及其制备方法、有机电致发光器件

权利要求书

1.一种高功函数多层导电膜，其特征在于，该导电膜为三文治层状结构，该三文治层状结构依次为AZTO-CuSn-AZTO。

2.一种高功函数多层导电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，将ZnO、SnO₂和Sb₂O₅原料混合、研磨后于900～1300℃烧结成AZTO靶材；其中，ZnO∶SnO₂为52∶48(质量百分比)，Sb₂O₅占总量的0.5～5％(质量百分比)；

步骤S2，将步骤S1中得到的AZTO靶材、CuSn靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之间；

步骤S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：磁控溅射工作压强0.2～2.0Pa，氩气工作气体的流量15～35sccm，AZTO靶材的溅射功率为60～160W，以及CuSn靶材的溅射功率为30～100W；接着根据确定的沟工艺参数进行镀膜处理，且在所述衬底上不断交替溅射AZTO层和CuSn层，最后在所述衬底上制得AZTO-CuSn-AZTO三文治结构的所述高功函数多层导电膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，Sb₂O₅的质量百分比为0.5％；所述AZTO靶材的烧结温度为1200℃。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，真空腔体的真空度设置在6.0×10^-4Pa。

5.根据权利要求2或4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，衬底装入磁控溅射镀膜设备的腔体之前包括如下步骤：将衬底先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗，然后用高纯氮气吹干。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，磁控溅射工作压强为1.0Pa；工作气体流量为20sccm；AZTO靶材的溅射功率为100W；CuSn靶材的溅射功率为60W。

7.根据权利要求2或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述AZTO-CuSn-AZTO中，首层AZTO膜层的厚度为20～120nm，CuSn膜层厚度为3～30nm，第二层AZTO膜层的厚度30～150nm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述AZTO-CuSn-AZTO中，首层AZTO膜层的厚度为50nm，CuSn膜层厚度为20nm，第二层AZTO膜层的厚度80nm。

9.一种有机电致发光器件，其特征在于，该器件包括衬底，在所述衬底表面制备有权利要求1所述的高功函数多层导电膜，在所述导电膜表面制备有功能层，在功能层表面制备有阴极层。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功能层为复合层，该复合层依次为：空穴注入层，空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；所述阴极层为Ag层。