[发明专利]储存器阵列结构及其局部字线驱动模块和驱动方法

权利要求书

1.一种储存器阵列结构，其特征在于，包括：

第一存储器阵列(Bank0)和第二存储阵列(Bank1)，所述第一存储器阵列(Bank0)包括第一子阵列(Bank0-0)，所述第二存储器阵列(Bank1)包括第二子阵列(Bank1-1)；所述第一子阵列(Bank0-0)和第二子阵列(Bank1-1)均包括耦合到局部字线和局部位线的若干存储器单元；

全局字线驱动器；所述全局字线驱动器与所述第一存储器阵列(Bank0)和第二存储阵列(Bank1)相关联，所述全局字线驱动器耦合若干全局字线(mwl_n)和解码信号线；

局部字线驱动模块(7)，设置于所述第一子阵列(Bank0-0)和第二子阵列(Bank1-1)间；所述局部字线驱动模块(7)耦合第一子阵列(Bank0-1)的第一局部字线(lwl0)、第二子阵列(Bank1-1)的第二局部字线(lwl1)和对应的全局字线(mwl_n)；

驱动电路(6)连接对应的解码信号线和局部字线驱动模块(7)。

2.如权利要求1所述一种储存器阵列结构，其特征在于：所述第一局部字线(lwl0)和第二局部字线(lwl1)同行。

3.如权利要求1所述一种储存器阵列结构，其特征在于：所述解码信号线包括第一解码信号线(WLRSTe_0)和第二解码信号线(WLRSTe_1)；所述第一解码信号线(WLRSTe_0)和第二解码信号线(WLRSTe_1)连接所述驱动电路(6)。

4.如权利要求1所述一种储存器阵列结构，其特征在于：所述局部字线驱动模块(7)包括两个分别由第一存储器阵列地址线(bank0_1)和第二存储阵列地址线(bank1_2)控制的开关管(N2、N2’)。

5.如权利要求4所述一种储存器阵列结构，其特征在于：所述开关管(N2、N2’)在对应的存储器阵列地址线(bank0_1、bank1_2)发出脉冲信号时打开。

6.如权利要求4所述一种储存器阵列结构，其特征在于：所述局部字线驱动模块(7)包括对称的第一局部字线驱动器和第二局部子线驱动器；所述第一局部字线驱动器包括PMOS管P1，NMOS管N1，NMOS管N2和一个反向器INV1；P1管的漏极接第一局部字线驱动信号线(Wldrv0)，P1管源极接N1管的源极，N1管的漏极接字线的低电压；P1管和N1管的栅极接N2管的源极，N2管的漏极接全局字线(mwl_n)，N2管的栅极接第一存储器阵列地址线(bank0_1)；反向器INV1的输入端和第一局部字线(lwl0)、P1管的源极、N1管的源极相连，输出端与N1管的栅极、P1管的栅极以及N2管的源极相连；所述第二局部字线驱动器包括PMOS管P1’，NMOS管N1’，NMOS管N2’和一个反向器INV1’；P1’管的漏极接第二局部字线驱动信号线(Wldrv1)，P1’管源极接N1’管的源极，N1’管的漏极接字线的低电压；P1’管和N1’管的栅极接N2’管的源极，N2’管的漏极接全局字线(mwl_n)，N2’管的栅极接第二存储器阵列地址线(bank1_2)；反向器INV1’的输入端和第二局部字线(lwl1)、P1’管的源极、N1’管的源极相连，输出端与N1’管的栅极、P1’管的栅极以及N2’管的源极相连；

或者，所述局部字线驱动模块(7)包括对称的第一局部字线驱动器和第二局部子线驱动器；所述第一局部字线驱动器包括PMOS管P1，NMOS管N1，NMOS管N2和一个反向器INV1；P1管的源极接第一局部字线驱动信号线(Wldrv0)，P1管漏极接N1管的漏极，N1管的源极接字线的低电压；P1管和N1管的栅极接N2管漏极，N2管的源极接全局字线(mwl_n)，N2管的栅极接第一存储器阵列地址线(bank0_1)；反向器INV1的输入端和第一局部字线(lwl0)、P1管漏极、N1管漏极相连，输出端与N1管的栅极、P1管的栅极以及N2管的漏极相连；所述第二局部字线驱动器包括PMOS管P1’，NMOS管N1’，NMOS管N2’和一个反向器INV1’；P1’管的源极接第二局部字线驱动信号线(Wldrv1)，P1’管漏极接N1’管的漏极，N1’管的源极接字线的低电压；P1’管和N1’管的栅极接N2’管漏极，N2’管的源极接全局字线(mwl_n)，N2’管的栅极接第二存储器阵列地址线(bank1_2)；反向器INV1’的输入端和第二局部字线(lwl1)、P1’管漏极、N1’管漏极相连，输出端与N1’管的栅极、P1’管的栅极以及N2’管的漏极相连。