[发明专利]光电转换器件和光电转换器件模块

权利要求书

1.一种光电转换器件，包括：

第一衬底；

收集器层，其被构造成设在所述第一衬底上方；

第二衬底，其被构造成与所述第一衬底的平表面相对，并由金属形成，所述金属在一侧具有凹槽部分；和

连接端子，其被构造成连接到所述收集器层，其中，

所述连接端子被布置成与所述凹槽部分相对。

2.根据权利要求1所述的光电转换器件，还包括：

透明导电层，其被构造成形成于所述第一衬底上；

氧化物半导体层，其被构造成在多个列上以条的方式形成在所述透明导电层的表面上，并承载染料；

保护层，其被构造成覆盖所述收集器层的表面；

催化剂层，其被构造成形成于所述第二衬底的上方；以及

电解层，其被构造成形成于所述第一衬底与所述第二衬底之间，其中，

所述第二衬底具有连续的平坦表面，该表面与所述第一衬底的平表面相对，

所述收集器层在多个列上以线性方式形成于所述透明导电层的表面上，夹住所述氧化物半导体层，

所述催化剂层以连续的或不连续的方式形成于所述平坦表面上方，

所述氧化物半导体层和所述催化剂层被布置成彼此相对，并且

所述保护层的尖端被布置在所述催化剂层的表面与所述平坦表面之间的位置。

3.根据权利要求2所述的光电转换器件，其中，

满足H＞(H_t+H_c)以及H＞H_p＞(H_t+g)，其中，H是所述透明导电层的表面与所述平坦表面之间的距离，H_t是所述氧化物半导体层的厚度，H_c是所述催化剂层的厚度，H_p是所述透明导电层的表面与所述保护层的尖端之间的距离，g是所述氧化物半导体层和所述催化剂层的相对表面之间的间距。

4.根据权利要求2所述的光电转换器件，其中，

所述催化剂层以连续的方式形成，所述催化剂层中形成有凹部，该凹部容纳所述保护层的尖端，并且

所述保护层的尖端被布置在所述凹部内。

5.根据权利要求4所述的光电转换器件，其中，

满足W_c≥W_p，其中，W_p是所述保护层的外部宽度，W_c是所述凹部的内部的宽度。

6.根据权利要求2所述的光电转换器件，其中，

所述催化剂层以不连续的方式，在多个列上以条的方式形成，并且

所述保护层的尖端位于彼此相邻的并且是条的方式的所述催化剂层之间。

7.根据权利要求6所述的光电转换器件，其中，

满足Wc≥W_p，其中，W_p是所述保护层的外部宽度，W_c是彼此相邻的所述催化剂层之间的距离。

8.根据权利要求2所述的光电转换器件，其中，

所述氧化物半导体层的宽度被确定为使下述值成为最大：该值是通过从所述氧化物半导体层的总体所产生的功率减去所述氧化物半导体层的总体中发生的阻抗损耗引起的功率损耗而获得的。

9.一种光电转换器件模块，包括：

被构造成在平面中布置的多个光电转换器件，所述光电转换器件包括：

第一衬底；

收集器层，其被构造成设在所述第一衬底上方；

第二衬底，其被构造成与所述第一衬底的平表面相对，并由金属形成，所述金属在一侧具有凹槽部分；和

连接端子，其被构造成连接到所述收集器层，

所述连接端子被布置成与所述凹槽部分相对，其中，

彼此相邻的两个光电转换器件中一者的连接端子以及另一者的第二衬底彼此电连接。