[发明专利]具有并联FET的远程电源控制器

权利要求书

1. 一种远程电源控制器（RPC），包含：

线连接；

负载连接；

并联布置在线连接和负载连接之间的第一场效应晶体管（FET）和第二FET，其中该第一FET具有比第二FET的安全操作区（SOA）低的SOA，且其中该第一FET具有比第二FET低的饱和电阻（RDS(on)）；以及

连接在第一FET和第二FET之间的电压偏置元件，使得在RPC中的电流高于限流设置点的情况下，电压偏置元件被配置成促使第一FET截止。

2. 根据权利要求1所述的RPC，其中该电压偏置元件包含分压器、电池或二极管中的一个。

3. 根据权利要求1所述的RPC，其中该电压偏置元件包含齐纳二极管。

4. 根据权利要求1所述的RPC，还包含具有输出端的差分放大器，该差分放大器的输出端连接到第一FET的栅极和第二FET的栅极。

5. 根据权利要求4所述的RPC，其中该电压偏置元件位于第一FET和差分放大器的输出端之间。

6. 根据权利要求4所述的RPC，其中该差分放大器的第一输入端连接到参考电压，且该差分放大器的第二输入端连接到分流器。

7. 根据权利要求1所述的RPC，还包含时序电路，该时序电路被配置成在第一FET截止之后在限流时间段逝去之后使RPC截止。

8. 根据权利要求7所述的RPC，其中该限流时间段是预定时间段。

9. 根据权利要求7所述的RPC，其中该限流时间段反比于RPC两端的电压。

10. 根据权利要求7所述的RPC，其中该限流时间段基于第二FET的SOA。

11. 一种操作远程电源控制器（RPC）的方法，该RPC包含线连接、负载连接以及并联布置在线连接和负载连接之间的第一场效应晶体管（FET）和第二FET，其中该第一FET具有比第二FET的安全操作区（SOA）低的SOA，其中该第一FET具有比第二FET低的饱和电阻（RDS(on)），该方法包含：

在RPC中行进的电流低于限流设置点的情况下，使得第一FET导通且使得第二FET导通；以及

在RPC中的电流高于限流设置点的情况下，使得第一FET截止。

12. 根据权利要求11所述的方法，其中使第一FET截止包含在第一FET和第二FET之间提供电压偏置，其中该电压偏置被配置成促使第一FET截止。

13. 根据权利要求11所述的方法，还包含在第一FET截止之后在限流时间段逝去之后使得RPC截止。

14. 根据权利要求13所述的方法，其中该限流时间段是预定时间段。

15. 根据权利要求13所述的方法，其中该限流时间段反比于RPC两端的电压。

16. 根据权利要求13所述的方法，其中该限流时间段基于第二FET的SOA。