[发明专利]多层引线框封装及其制备方法

权利要求书

1.一个引线框封装，其特征在于，该封装包含：

一个第一引线框，所述的第一引线框是导电的；

一个第二引线框，与所述的第一引线框重叠，所述的第二引线框的一部分与所述的第一引线框分离开来，所述的第二引线框是导电的；

一个设置在所述的第一和第二引线框之间的第一半导体晶片，所述的第一半导体晶片具有电连接到所述的第一和第二引线框上的接头；

一个第二半导体晶片，接合并电连接到所述的第二引线框；

一个第三引线框，与所述的第一和第二引线框重叠，是导电的，并与所述的第二半导体晶片电接触；以及，

所设置的成型混料，用于密封一部分所述的封装。

2.如权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，其中每个第一、第二和第三引线框都还包含多个拉杆，其中拉杆的末端通过封装侧壁上的成型混料裸露出来。

3.如权利要求2所述的引线框封装，其特征在于，其中不作为引线的拉杆末端，通过封装侧壁上的成型混料裸露出来。

4.如权利要求2所述的引线框封装，其特征在于，其中所述的第一和第三引线框具有在相互垂直的方向上延伸的拉杆。

5.如权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，其中所述的第一和第二半导体晶片为功率场效应管FET。

6.如权利要求5所述的引线框封装，其特征在于，其中所述的第一和第二半导体晶片通过所述的第二引线框，串联在一起，构成一个半桥式电路。

7.如权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，其中所述的第二引线框还包含一个额外的导电结构，该导电结构电接触所述的第一半导体晶片，但不接触第二半导体晶片。

8.如权利要求7所述的引线框封装，其特征在于，其中所述的第二半导体晶片与一部分所述的额外的导电结构重叠。

9.如权利要求8所述的引线框封装，其特征在于，其中所述的额外的导电结构的顶部从所述的第二半导体晶片下凹。

10.如权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，其中所述的第二和第三引线框具有与所述的第一和第二半导体晶片分离开来的部分，分别限定各自的体积，并且具有各自的直通路径，在所述的第二和第三引线框的相对面之间延伸，所述的各自的直通路径与所述的各自的体积成流体连通。

11.如权利要求10所述的引线框封装，其特征在于，其中每个所述的第二和第三引线框都含有多个分离的窝点，每个窝点由从所述的相对面当中的一个开始，朝向所述的第一或第二半导体晶片延伸的一部分来限定，一对所述的窝点具有一个在它们之间延伸的通道，所述的通道从所述的相对面当中的一面开始延伸，终止在与所述的相对面当中的剩余一面相间隔的地方。

12.一个引线框封装，其特征在于，该封装包含：

一个第一结构，所述的第一结构是导电的；

一个第二结构，与所述的第一结构重叠，所述的第二结构的一部分与所述的第一结构分离开来，所述的第二结构是导电的；

一个设置在所述的第一和第二结构之间的半导体晶片，所述的半导体晶片具有电连接到所述的第一和第二结构上的接头；并且

所设置的成型混料，用于密封一部分封装，其中每个所述的第一结构和第二结构都还含有在相互垂直方向上延伸的拉杆。

13.如权利要求12所述的引线框封装，其特征在于，其中所述的拉杆末端通过所述的成型混料裸露出来。

14.如权利要求12所述的引线框封装，其特征在于，其中半导体晶片是一个功率场效应管FET。

15.如权利要求12所述的引线框封装，其特征在于，该封装还包含：

一个第三结构，所述的第三结构是导电的，一部分所述的第三结构与所述的第一结构在同一平面中；

一个第四结构，与所述的第三结构重叠，所述的第四结构是导电的；以及

一个设置在所述的第三和第四结构之间的第二半导体晶片，所述的第二半导体晶片具有电连接到所述的第三和第四结构上的接头，其中所述的第三和第四结构以及第二半导体晶片位于在水平方向上邻近所述的第一和第二结构的地方。

16.如权利要求15所述的引线框封装，其特征在于，其中所述的第二结构电连接到所述的第三结构上。