[发明专利]掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种掺铒硅酸镥激光晶体，其特征在于该晶体的分子式为：

(Er_xLu_1-x)₂SiO₅，其中x的取值范围为0.005～0.01。

2.权利要求1所述的掺铒硅酸镥激光晶体的制备方法，其特征在于该方法包括下列步骤：

①初始原料采用Er₂O₃，Lu₂O₃和SiO₂，选定x的取值后，根据掺铒硅酸镥激光晶体的分子式(Er_xLu_1-x)₂SiO₅，按摩尔比x∶(1-x)∶1进行配料，精确称量各原料；

②将原料充分混合均匀后在液压机上压制成块，然后装入氧化铝坩埚内，放进马弗炉中烧结，用10个小时升温至1200℃，保温10个小时后再用10个小时降温至室温；

③将块料取出放入坩埚内，采用熔体法生长掺铒硅酸镥激光晶体。

3.根据权利要求2所述的掺铒硅酸镥激光晶体的制备方法，其特征在于所述的熔体法为提拉法，所述的坩埚为铱坩埚，籽晶为b轴的Lu₂SiO₅单晶棒，晶体生长在高纯N₂气氛中进行，采用中频感应加热至～2150℃使原料完全融化，然后通过重量传感控制晶体生长尺寸。提拉速度为1～3mm/h，旋转速度为15～30rpm。

4.根据权利要求2所述的掺铒硅酸镥激光晶体的制备方法，其特征在于所述的熔体法为温度梯度法，所述的坩埚为钼坩埚，坩埚底放入b向Lu₂SiO₅单晶棒作为籽晶，晶体生长在高纯N₂气氛中进行，用石墨电阻持续升温至2150℃，并保持0.5～2小时后，以1～3℃/h的降温速率进行降温并生长晶体。