[发明专利]热电式光检测器、热电式光检测装置以及电子设备

权利要求书

1.一种热电式光检测器，其特征在于，包括：

电容器，在第一电极与第二电极之间包括热电体，且极化量随温度而变化；

支撑部件，包括第一面和与所述第一面相对的第二面，所述第一面面对空腔部，在所述第二面上安装并支撑所述电容器；以及固定部，用于支撑所述支撑部件，

其中，配置在所述第二面上的所述第一电极的热导率小于所述第二电极的热导率。

2.根据权利要求1所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述第一电极厚于所述第二电极。

3.根据权利要求2所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述第一电极、所述第二电极以及所述热电体沿指定的结晶面优先取向，

所述第一电极具有使所述热电体沿所述指定的结晶面优先取向的晶种层，

所述第二电极在与所述热电体接触的位置上具有结晶取向与所述热电体匹配的取向匹配层，且所述晶种层厚于所述取向匹配层。

4.根据权利要求3所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述第一电极在所述支撑部件与所述晶种层之间还包括取向控制层，所述取向控制层控制所述晶种层沿所述指定的结晶面优先取向。

5.根据权利要求4所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述第一电极在所述晶种层与所述取向控制层之间还包括对还原气体具有阻挡性的第一还原气体阻挡层。

6.根据权利要求5所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述第一电极在所述取向控制层与所述支撑部件之间还包括粘结层。

7.根据权利要求5或6所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述第二电极在所述取向匹配层与所述热电体接触的面的反面上还包括对还原气体具有阻挡性的第二还原气体阻挡层。

8.根据权利要求7所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述第二电极在所述第二还原气体阻挡层与所述取向控制层接触的面的反面上还包括低电阻层，

所述取向控制层和所述低电阻层由相同的材料形成，所述取向控制层厚于所述低电阻层。

9.根据权利要求7或8所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述第一还原气体阻挡层和所述第二还原气体阻挡层由相同的材料形成，所述第一还原气体阻挡层厚于所述第二还原气体阻挡层。

10.根据权利要求7或8所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述第一还原气体阻挡层和所述第二还原气体阻挡层由相同的材料形成，所述第二还原气体阻挡层厚于所述第一还原气体阻挡层。

11.根据权利要求3至10中任一项所述的热电式光检测器，其特征在于，

所述指定的结晶面是(111)面。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的热电式光检测器，其特征在于，

在所述热电式光检测器中还设置有光吸收部件，所述光吸收部件在从所述电容器的所述第二电极侧入射的光入射路径上配置在所述电容器的上游侧，所述光吸收部件用于将吸收光而得到的热传递给所述电容器，

所述第二电极使透过了所述光吸收部件的光反射至所述光吸收部件。

13.一种热电式光检测装置，其特征在于，

在所述热电式光检测装置中，根据权利要求1至12中任一项所述的热电式光检测器沿两轴方向二维配置。

14.一种电子设备，其特征在于，

所述电子设备包括：根据权利要求1至12中任一项所述的热电式光检测器。

15.一种电子设备，其特征在于，

所述电子设备包括：根据权利要求13所述的热电式光检测装置。