[发明专利]扇出高密度封装结构

权利要求书

1.扇出高密度封装结构，其特征在于，包括：

保护层，所述保护层包括底部保护层、中间保护层和上保护层，其中底部保护层和上保护层中均设有开口；

再布线金属层，所述再布线金属层嵌于保护层中，其中，再布线金属层的部分金属设于底部保护层和上保护层的开口中；

至少一组布线封装层，所述布线封装层位于上保护层上，包括依次位于上保护层上的正贴装层、布线封料层、布线层；

顶部封装层，所述顶部封装层位于布线封装层上，包括依次位于布线封装层上的倒贴装层、底部填充、顶部封料层；

设置于底部保护层开口中的金属下方的连接球。

2.如权利要求1所述的扇出高密度封装结构，其特征在于，所述扇出高密度封装结构包括第一布线封装层，所述第一布线封装层包括依次位于保护层上的第一正贴装层、第一布线封料层、第一布线层。

3.如权利要求2所述的扇出高密度封装结构，其特征在于，所述第一正贴装层中各个器件的功能面朝上。

4.如权利要求2所述的扇出高密度封装结构，其特征在于，所述第一布线封料层填充于第一正贴装层各个器件之间，并裸露出所述第一贴装层各个器件的连接件。

5.如权利要求2所述的高密度系统级封装结构，其特征在于，所述第一布线层包括贯穿第一布线封料层且与上保护层开口中的金属导通的第一纵向布线，以及与所述第一纵向布线连通、覆盖于第一布线封料层上且互联第一正贴装层中器件的第一横向布线。

6.如权利要求1所述的扇出高密度封装结构，其特征在于，所述倒贴装层中各个器件的功能面朝下。

7.如权利要求1所述的扇出高密度封装结构，其特征在于，所述顶部封料层填充于倒贴装层各个器件之间并将倒贴装层包覆密封。

8.如权利要求1～5任意一权利要求所述的扇出高密度封装结构，其特征在于：所述保护层为聚酰亚胺或苯并环丁烯。

9.如权利要求1～7任意一权利要求所述的扇出高密度封装结构，其特征在于：所述贴装层中包括芯片，所述芯片为单颗或多颗。

10.如权利要求9所述的扇出高密度封装结构，其特征在于：所述贴装层还包括无源器件，所述无源器件为电容、电阻或电感中的一种或多种。