[发明专利]一种减小I/O MOS器件HCI效应的方法有效
| 申请号： | 201110069777.X | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102693904A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 mos 器件 hci 效应 方法 | ||
1.一种减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成图案化的掩膜层；
以所述图案化的掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底的表层中进行第一类离子LDD离子注入；
以所述图案化的掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底的表层中进行第二类离子LDD离子注入，所述第二类离子与第一类离子的导电类型相反；
以所述图案化的掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底的表层中进行磷离子LDD注入。
2.如权利要求1所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述图案化的掩膜层为栅极结构。
3.如权利要求1所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述第一类离子为In离子或Ge离子。
4.如权利要求3所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述In离子或Ge离子注入的能量为5KeV～20KeV，剂量为1E13～8E13/cm2，角度为0°～11°。
5.如权利要求1所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述第二类离子为As离子，Sb离子或Bi离子，。
6.如权利要求5所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述As离子注入的能量为2KeV～10KeV，剂量为3E14～8E14/cm2，角度为0°～11°。
7.如权利要求5所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述Sb离子注入的能量为10KeV～30KeV，剂量为3E14～8E14/cm2，角度为0°～11°。
8.如权利要求5所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述Bi离子注入的能量为20KeV～40KeV，剂量为3E14～8E14/cm2，角度为0°～11°。
9.如权利要求1所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述磷离子LDD离子注入在所述第一类离子LDD离子注入之前或之后进行。
10.如权利要求1或9所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述磷离子注入的能量为10KeV～25KeV，剂量为1E13～6E13/cm2，角度为0°～35°。
11.如权利要求1所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述第一类离子LDD离子注入之前或之后，还包括：以所述掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底中进行晕环注入的步骤。
12.如权利要求1所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，在所述第二类离子LDD离子注入之前或之后，还包括：以所述掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底中进行晕环注入的步骤。
13.如权利要求1所述的减小I/O MOS器件HCI效应的方法，其特征在于，所述第一类离子LDD离子注入与第二类离子LDD离子注入步骤前后交换。
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