[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

基底；

由多晶硅制成的半导体层，位于基底上；

金属图案，位于半导体层和基底之间，金属图案与半导体层绝缘，

其中，

半导体层包括与晶化生长方向平行的晶界，

半导体层的表面粗糙度小于15nm，半导体层的表面粗糙度定义为半导体层的表面中的最低峰与最高峰之间的距离。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述晶界与电流流动方向平行。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，金属图案是与半导体层的一部分对应的栅电极。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括：

栅极绝缘层，位于金属图案和半导体层之间；

层间绝缘层，位于半导体层上；

源/漏电极，位于层间绝缘层上，源/漏电极电连接到半导体层的一侧。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，金属图案是包括一层或多层不透明层的光阻挡构件。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，金属图案还包括在一层或多层不透明层的一侧或在多层不透明层之间的一层或多层透明层。

7.一种薄膜晶体管的制造方法方法，所述薄膜晶体管包括由多晶硅制成的半导体层，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成金属图案；

在金属图案上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成非晶硅层；

利用定向横向固化工艺将非晶硅层晶化成多晶硅层；

图案化多晶硅层来形成半导体层。

8.如权利要求7所述的方法，其中，定向横向固化工艺包括反复地执行晶化工艺，反复地执行晶化工艺包括以下步骤：

利用具有365nm至1100nm的长度、5μm至20μm的宽度和150mJ/cm²至1000mJ/cm²的能量密度的线形激光束以脉冲形式第一次照射非晶硅层的预定区域；

沿第一方向将激光束移动小于激光束的宽度的一半的距离；

利用所述线形激光束以脉冲形式第二次照射非晶硅层的另一预定区域。

9.如权利要求8所述的方法，其中，

多晶硅层包括与第一方向平行的晶界，

多晶硅层晶化为具有小于15nm的表面粗糙度，所述表面粗糙度定义为多晶硅层的表面中的最低峰与最高峰之间的距离。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述晶界与电流流动方向平行。

11.如权利要求7所述的方法，其中，

金属图案是与半导体层的一部分对应的栅电极，

第一绝缘层是栅极绝缘层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：

在半导体层上形成层间绝缘层；

在层间绝缘层上形成源/漏电极，使得源/漏电极电连接到半导体层的一侧。

13.如权利要求7所述的方法，其中，金属图案是包括一层或多层不透明层的光阻挡构件。

14.如权利要求13所述的方法，其中，不透明层包含碳，或者包含Fe、Co、V、Ti、Al、Ag、Si、Ge、Y、Zn、Zr、W、Ta、Cu、Pt和它们的合金中的至少一种。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：

在半导体层上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成栅电极，使得栅电极与半导体层的一部分叠置；

在栅电极上形成层间绝缘层；

在层间绝缘层上形成源/漏电极，使得源/漏电极电连接到半导体层的一侧。

16.如权利要求13所述的方法，其中，金属图案还包括位于一层或多层不透明层的一侧或在多层不透明层之间的一层或多层透明层。