[发明专利]发光二极管装置

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包括：

承载基板，具有第一表面与相对于该第一表面的第二表面；

第一发光二极管阵列，具有多个第一发光二极管单元，以倒装方式设置于该第一表面上；以及

第二发光二极管阵列，具有多个第二发光二极管单元，以倒装方式设置于该第二表面上；

其中，该第一表面上设置有至少一第一导电连结结构，该第二表面上设置有至少一第二导电连结结构；

其中，至少两个该第一发光二极管单元与该第一导电连结结构接合形成电性连结，至少两个该第二发光二极管单元与该第二导电连结结构接合形成电性连结。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该承载基板为复合基板，包括第一承载基板与第二承载基板。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包括：

第一生长基板，该第一发光二极管阵列形成于该第一生长基板上和/或第二生长基板，该第二发光二极管阵列形成于该第二生长基板上。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第一表面上和/或该第二表面上还包括粗化结构。

5.如权利要求4所述的发光二极管装置，其中：

设置于该第一表面上与该第二表面上的该粗化结构粗化程度不相同。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包括：

第三导电连结结构，设置于该承载基板上，电性连结至少一个该第一发光二极管单元与至少一个该第二发光二极管单元。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包括：

反射结构，设置于该第一表面及/或该第二表面上。

8.如权利要求7所述的发光二极管装置，其中，该反射结构为金属反射层和/或分布式布拉格反射层。

9.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，

该多个发光二极管单元中至少其中之一包括：

p型半导体层；

n型半导体层；以及

发光层，形成于该p型半导体层与该n型半导体层间。

10.如权利要求9所述的发光二极管装置，还包括：

反射结构，设置于该p型半导体层的表面上。

11.如权利要求10所述的发光二极管装置，其中，

该反射结构为金属反射层及/或分布式布拉格反射层。

12.一种发光二极管装置，包括：

承载基板，具有第一表面；

第一发光二极管阵列，具有多个第一发光二极管单元，以倒装方式设置于该第一表面上；

第一生长基板，具有第二表面，该第一发光二极管阵列形成于该第二表面上；以及

第一导电连结结构，设置于该第一表面，至少两个该第一发光二极管单元透过与该第一导电连结结构接合形成电性连结；

其中，该第一表面与该第二表面为粗化的表面。

13.如权利要求12所述的发光二极管装置，其中，该生长基板还包括第三表面相对于该第二表面，且该第三表面为粗化的表面。

14.如权利要求13所述的发光二极管装置，其中，该第一表面与该第二表面粗化程度不相同。

15.如权利要求13所述的发光二极管装置，其中，该第二表面与该第三表面粗化程度不相同。