[发明专利]包括量子点-嵌段共聚物混合物的发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括基底和设置在基底上的量子点-嵌段共聚物混合物层，量子点-嵌段共聚物混合物层包含：

量子点；

围绕量子点的嵌段共聚物，

其中，嵌段共聚物具有包含硫的官能团并与量子点形成化学键。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述官能团包括从由烷基硫醇、烷基黄原酸盐、烷基黄原酸酯、二烷基硫代氨基甲酸盐、二烷基硫代氨基甲酸酯、二烷基二硫化物、二烷基硫化物组成的组中选择的一种，所述烷基的碳数在1至22个碳原子的范围内。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中，量子点包括II-VI族元素、III-V族元素、IV族元素和IV-VI族元素中的至少一种。

4.如权利要求3所述的发光装置，其中，量子点具有单核结构、核-单层壳结构和核-多层壳结构中的一种。

5.如权利要求3所述的发光装置，其中，II族元素包括从由锌、镉和汞组成的组中选择的至少一种元素，III族元素包括从由铝、镓和铟组成的组中选择的至少一种元素，IV族元素包括从由硅、锗、锡和铅组成的组中选择的至少一种元素，V族元素包括从由氮、磷和砷组成的组中选择的至少一种元素，VI族元素包括从由硫、硒和碲组成的组中选择的至少一种元素。

6.如权利要求1所述的发光装置，所述装置还包括设置在量子点-嵌段共聚物混合物层的至少一部分与基底之间的发光二极管。

7.如权利要求6所述的发光装置，其中，发光二极管发射光，量子点吸收所述光并发射与量子点的激发态和基态之间的能带隙对应的可见光。

8.一种制造发光装置的方法，所述方法包括准备基底和在基底上设置薄膜的步骤，所述薄膜包括量子点-嵌段共聚物混合物，所述量子点-嵌段共聚物混合物通过包括以下步骤的方法制造：

提供量子点；

提供具有包含硫的官能团的嵌段共聚物；

将量子点与嵌段共聚物混合；

使量子点与官能团化学键合。

9.如权利要求8所述的制造发光装置的方法，其中，化学键合的步骤包括：

将能量施加到量子点和嵌段共聚物的混合物。

10.如权利要求8所述的制造发光装置的方法，其中，所述官能团包括烷基硫醇、烷基黄原酸盐、烷基黄原酸酯、二烷基硫代氨基甲酸盐、二烷基硫代氨基甲酸酯、二烷基二硫化物、二烷基硫化物中的一种，所述烷基的碳数在1至22的范围内。

11.如权利要求10所述的制造发光装置的方法，其中，量子点包括II-VI族元素、III-V族元素、IV族元素和IV-VI族元素中的至少一种。

12.如权利要求11所述的制造发光装置的方法，其中，量子点具有单核结构、核-单层壳结构和核-多层壳结构中的一种。

13.如权利要求10所述的制造发光装置的方法，其中，II族元素包括从由锌、镉和汞组成的组中选择的至少一种元素，III族元素包括从由铝、镓和铟组成的组中选择的至少一种元素，IV族元素包括从由硅、锗、锡和铅组成的组中选择的至少一种元素，V族元素包括从由氮、磷和砷组成的组中选择的至少一种元素，VI族元素包括从由硫、硒和碲组成的组中选择的至少一种元素。

14.如权利要求8所述的制造发光装置的方法，其中，针对分散的量子点通过执行旋涂方案、滴涂方案和刮涂方案中的至少一种在基底上设置薄膜。