[发明专利]基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池无效
| 申请号： | 201110067715.5 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102163638A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 马绍栋;付非亚;王宇飞;王海玲;彭红玲;郑婉华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0352;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 刻蚀 技术 sis 太阳能电池 | ||
1.一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，包括：
一下电极(10)；
一光吸收材料层(20)，该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术，在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；
一氧化物绝缘层(30)，该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；
一TCO薄膜层(40)，该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；
一上图形电极(50)，该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及
一纳米颗粒(60)，该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。
2.根据权利要求1所述的基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，所述光吸收材料层(20)为P型单晶半导体材料或N型单晶半导体材料。
3.根据权利要求2所述的基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，所述光吸收材料层(20)采用单晶Si材料。
4.根据权利要求1所述的基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，所述光吸收材料层(20)上表面的微米尺寸一维条型结构或二维柱形结构是通过光刻和刻蚀技术实现的，一维条型结构周期为10至30微米，刻蚀深度为20至50微米；二维柱形结构直径为5至10微米，高度为20至50微米。
5.根据权利要求1所述的基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，所述氧化物绝缘层(30)的厚度为1nm。
6.根据权利要求1所述的基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，所述TCO薄膜层(40)为宽带隙透明导电材料。
7.根据权利要求1所述的基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，所述TCO薄膜层(40)采用的材料为SnO2、In2O3、ZnO或ITO。
8.根据权利要求1所述的基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，所述纳米颗粒(60)为金属或绝缘体，颗粒尺寸为500-900nm。
9.根据权利要求8所述的基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，所述金属为Ag或Au，所述绝缘体为Al2O3。
10.根据权利要求1所述的基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，所述纳米颗粒(60)置于聚二甲基硅氧烷PDMS中，悬涂在TCO薄膜层(40)上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
