[发明专利]具有肖特基二极管测温的大功率LED有效
| 申请号： | 201110066973.1 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102185041A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;郭志友;解晓宇;王度阳;韩世洋;许轶;严卫聪;黄鸿勇 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L29/872 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;廖继海 |
| 地址： | 510631 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 肖特基 二极管 测温 大功率 led | ||
1.具有肖特基二极管测温的大功率LED，其特征在于：在大功率LED的中心区设置了一个肖特基二极管。
2.根据权利要求1所述的具有肖特基二极管测温的大功率LED，其特征在于：大功率LED的基本半导体材料为GaN。
3.根据权利要求2所述的具有肖特基二极管测温的大功率LED，其特征在于：大功率LED从上往下依次包括p型GaN层(7)、InGaN/GaN量子阱层(8)、n型高浓度GaN层(9)、n型低浓度GaN层(10)以及衬底(11)，在大功率LED的中心区从上往下设有一个盲孔(4)，盲孔(4)的深度至InGaN/GaN量子阱层(8)或n型高浓度GaN层(9)或n型低浓度GaN层(10)；在盲孔(4)的底部，制作了肖特基二极管的正电极(102)和肖特基二极管的负电极(2)，在肖特基二极管的正电极(102)上制作了肖特基二极管的正电极焊盘(3)。
4.根据权利要求3所述的具有肖特基二极管测温的大功率LED，其特征在于：肖特基二极管的正电极(102)为金属Ti/Al/Ti/Au四层结构，Au层与盲孔(4)的底部的InGaN/GaN量子阱层(8)或n型高浓度GaN层(9)或n型低浓度GaN层(10)相连接。
5.根据权利要求4所述的具有肖特基二极管测温的大功率LED，其特征在于：所述盲孔(4)是圆孔。
6.根据权利要求4或5所述的具有肖特基二极管测温的大功率LED，其特征在于：肖特基二极管的正电极(102)为月牙形。
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