[发明专利]同步整流控制电路及其控制方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及开关电源技术，尤其涉及一种同步整流控制电路及其控制方法。

背景技术

同步整流技术是目前应用于开关电源领域中非常普遍的技术，其采用通态电阻极低的专用功率金属氧化层半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；以下简称：MOSFET)取代整流二极管，以降低整流损耗。目前传统的脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation；以下简称：PWM)控制型的同步整流控制相对简单，通常利用原边驱动电压来进行同步整流控制，而若副边电流与原边电压的相位不一致，则使得同步整流控制的难度大大增加。

现有技术为了解决上述问题，利用专用芯片，如IR1167进行同步整流控制，或者通过检测变压器线圈电压进行互锁方式来进行同步整流控制。图1为现有技术中同步整流控制电路的结构示意图，如图1所示，IR1167为国际整流器(International Rectifier；以下简称：IR)公司为同步整流开发的专用芯片，每个IR1167分别控制一个MOSFET。其中，IR1167的工作原理如下：先检测同步整流MOSFET的源极和漏极两端的电压Vs和Vd，并对电平Vs和Vd进行比较，得到电压Vds的曲线如图2所示。当电压Vds达到Vth2时，产生同步整流驱动信号，并维持一个预设的最小导通时间(Minimum On Time；以下简称：MOT)；当Vds达到Vth1时，同步整流驱动信号关闭，且IR1167产生自锁，防止关断所产生的振荡电压使得同步整流MOSFET误导通；当Vds达到Vth3时，IR1167复位，从而又开始下一个周期的检测控制。

然而，发明人在实现本发明的过程中发现现有技术中存在如下问题：现有技术中的同步整流控制通过采样MOSFET两端的电压来实现，而MOSFET本身具有等效电感、结电容等很多寄生参数，从而对MOSFET的开通或关断的控制的准确性造成影响，很难保证电路工作在最佳状态；且通过大信号采样小信号容易产生失真，使得控制效率降低。

发明内容

本发明实施例在于提供一种同步整流控制电路及其控制方法，消除MOSFET中寄生参数的影响，避免产生失真，提高控制效率。

为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种同步整流控制电路，包括至少一个开关管、与所述开关管相连的电流采样模块、触发信号接收模块、同步控制保护信号接收模块和同步整流控制模块，其中：

所述电流采样模块连接在所述开关管的源极与同步整流控制电路的地极之间，用于采集所述开关管的电压或电流；

所述触发信号接收模块用于接收触发信号，并将所述触发信号提供给所述同步整流控制模块；

所述同步控制保护信号接收模块用于接收同步控制保护信号，并将所述同步控制保护信号提供给所述同步整流控制模块；

所述同步整流控制模块用于在所述触发信号接收模块提供的所述触发信号的触发下，将所述同步控制保护信号接收模块提供的所述同步控制保护信号当前所控制的开关管进行强制导通，并对所述电流采样模块采集的电压或电流进行检测，当电压或电流检测结果达到预设检测结果时，将所述同步控制保护信号当前所控制的开关管进行关断处理。

本发明实施例提供了一种同步整流控制方法，包括：

接收触发信号接收模块提供的触发信号和同步控制保护信号接收模块提供的同步控制保护信号；

在触发信号的触发下，将同步控制保护信号当前所控制的开关管进行强制导通；

检测连接在开关管的源极与同步整流控制电路的地极之间的电流采样模块采集的开关管的电压或电流；

当电压或电流检测结果达到预设检测结果时，将同步控制保护信号当前所控制的开关管进行关断处理。

本发明实施例提供的一种同步整流控制电路及其控制方法，同步整流控制模块通过外部提供的触发信号对开关管进行强制导通，并通过检测与开关管相连的电流采样模块两端的电压或电流来控制开关管关断，消除了开关中寄生参数的影响，在一个小信号上采样小信号，避免了在一个大信号上采样小信号所产生的失真，提高了控制效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中同步整流控制电路的结构示意图；

图2为现有技术中同步整流控制电路的检测电压的曲线示意图；