[发明专利]低欧姆接触的背接触电池的制造方法无效
| 申请号： | 201110066731.2 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102148291A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张勇;刘红成;姜红燕;王玉亭;李忠 | 申请（专利权）人： | 天威新能源（扬州）有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 电池 制造 方法 | ||
1.一种低欧姆接触的背接触电池的制造方法，其特征在于依次包括步骤：硅片测试检验、硅片预清洗、去除损伤层、单面沉积SiN层、单面制作小绒面、在SiN膜侧丝网印刷掩蔽膜、在SiN膜侧刻蚀N+层窗口、正面背面同时扩散N+层并形成磷硅玻璃阻挡层、去除SiN层、P+层扩散并形成钝化SiO2层薄膜、丝网印刷引线孔掩蔽膜、刻蚀引线孔同时去除正面的磷硅玻璃和SiO2层、蒸镀钛薄膜、正面沉积SiN层、丝网印刷正负电极、正负电极烘干烧结、测试分选、入库。
2.根据权利要求1所述的低欧姆接触的背接触电池的制造方法，其特征在于：在SIN膜侧丝网印刷掩蔽膜、正面背面同时扩散N+层并形成磷硅玻璃阻挡层、P+层扩散并形成钝化SIO2层薄膜、丝网印刷引线孔掩蔽膜、丝网印刷正负电极，这些步骤都需要光学对准，在硅片的对角线上，靠近硅片的边缘位置，都制作同样的尺寸，同样间距的光学对准图形。
3.根据权利2所述的低欧姆接触的背接触电池的制造方法，其特征在于：蒸镀钛薄膜的工艺条件为：真空蒸镀为5×10-5Torr，钛薄膜厚度为0.5～1um，掩蔽膜板与电池片的光学对准图形误差为±20um，蒸镀时间为10～20SEC。
4.根据权利1所述的低欧姆接触的背接触电池的制造方法，其特征在于：正负电极烘干烧结的烧结温度为500～800℃。
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