[发明专利]一种TFT阵列基板、及其制作方法和制造设备

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅绝缘层；

在第一化学气象淀积腔体内，对所述栅绝缘层通H₂进行表面处理，之后，在所述栅绝缘层上沉积第一非晶硅有源层；

在内部充有高压N₂和H₂的第二化学气象淀积腔体内，对所述第一非晶硅有源层进行退火处理；

退火处理之后，在所述第一化学气象淀积腔体内，在所述第一非晶硅有源层上分别沉积第二非晶硅有源层和第三非晶硅有源层，在所述第三非晶硅有源层上沉积P掺杂n+非晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述第一非晶硅有源层包括：

所述第一非晶硅有源层的沉积功率为150W～300W；

SiH₄气体流量为500sccm～750sccm；

H₂气体流量为2500sccm～4000sccm；

沉积气压为1600mtorr～2200mtorr；

所述第一非晶硅有源层的沉积厚度为

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，沉积所述第一非晶硅有源层包括：

所述第一非晶硅有源层的沉积功率为200W；

SiH₄气体流量为550sccm；

H₂气体流量为3000sccm；

沉积气压为1800mtorr；

所述第一非晶硅有源层的沉积厚度为

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二化学气象淀积腔体内进行完退火处理后，在35s～65s的时间内将所述基板转入所述第一化学气象淀积腔体内。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述退火处理的退火温度为250℃～350℃；

所述退火处理的退火时间为240s～420s。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，

所述退火处理的退火温度为300℃；

所述退火处理的退火时间为300s。

7.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上形成有栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有经退火处理的第一非晶硅有源层；

在所述第一非晶硅有源层上分别形成有第二非晶硅有源层和第三非晶硅有源层；

在所述第三非晶硅有源层上形成有P掺杂n+非晶硅层。

8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，形成所述第一非晶硅有源层包括：

所述第一非晶硅有源层的沉积功率为150W～300W；

SiH₄气体流量为500sccm～750sccm；

H₂气体流量为2500sccm～4000sccm；

沉积气压为1600mtorr～2200mtorr；

所述第一非晶硅有源层的沉积厚度为

9.根据权利要求7或8所述的TFT阵列基板，其特征在于，形成所述第一非晶硅有源层包括：

所述第一非晶硅有源层的沉积功率为200W；

SiH₄气体流量为550sccm；

H₂气体流量为3000sccm；

沉积气压为1800mtorr；

所述第一非晶硅有源层的沉积厚度为

10.根据权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，

所述退火处理的退火温度为250℃～350℃；

所述退火处理的退火时间为240s～420s。

11.根据权利要求7或10所述的TFT阵列基板，其特征在于，

所述退火处理的退火温度为300℃；

所述退火处理的退火时间为300s。