[发明专利]一种任意阻抗人工合成材料及其设计方法有效
| 申请号： | 201110066502.0 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102684608A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;栾琳;赵治亚;李岳峰 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H03C7/02 | 分类号： | H03C7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 任意 阻抗 人工合成 材料 及其 设计 方法 | ||
1.一种任意阻抗人工合成材料，其特征在于，所述任意阻抗人工合成材料包括片状基材及附着在所述片状基材上的多个人造微结构，所述多个人造微结构包括对电场产生响应的第一微结构。
2.根据权利要求1所述的任意阻抗人工合成材料，其特征在于，所述多个人造微结构还包括对磁场产生响应的第二微结构。
3.根据权利要求2所述的任意阻抗人工合成材料，其特征在于，所述第一微结构及所述第二微结构设置在所述片状基材两侧对应的位置上。
4.根据权利要求2所述的任意阻抗人工合成材料，其特征在于，所述第二微包括任意曲线以及由所述任意曲线的两端形成的开口。
5.根据权利要求1所述的任意阻抗人工合成材料，其特征在于，所述第一微结构包括第一金属线、设置在所述第一金属线端部的第二金属线以及设置于所述第二金属线端部的第三金属线。
6.根据权利要求4或5所述的任意阻抗人工合成材料，其特征在于，改变所述第一微结构或所述第二微结构的尺寸、几何形状和/或分布，以改变所述任意阻抗人工合成材料的介电常数或磁导率。
7.一种用于设计任意阻抗人工合成材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1预设所述任意阻抗人工合成材料的目标阻抗Z0；
S2设计所述人工合成材料，所述人工合成材料包括片状基材以
及人造微结构，所述人造微结构包括对电场响应的第一微结构及对磁场响应的第二微结构；
S3改变所述第一微结构的尺寸、几何形状，以改变所述任意阻抗人工合成材料的介电常数；
S4改变所述第二微结构的尺寸、几何形状，以改变所述任意阻抗人工合成材料的介电常数，进而使得所述任意阻抗人工合成材料的阻抗为Z0。
8.根据权利要求7所述的用于设计任意阻抗人工合成材料的方法，其特征在于，所述第一微结构包括第一金属线、设置在所述第一金属线端部的第二金属线以及设置于所述第二金属线端部的第三金属线。
9.根据权利要求7所述的用于设计任意阻抗人工合成材料的方法，其特征在于，所述第二微包括任意曲线以及由所述任意曲线的两端形成的开口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司，未经深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110066502.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
