[发明专利]Ⅲ-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-V族氮化物系半导体

权利要求书

1.一种III-V族氮化物系半导体衬底，其是由III-V族氮化物系半导体晶体构成的自支撑的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，所述III-V族氮化物系半导体晶体的至少衬底上表面的位错密度分布实质上均匀，所述衬底上表面的平均位错密度小于等于5×10⁶cm^-2，该位错密度分布实质上均匀是指，从所述衬底上表面到10μm深度的与所述衬底上表面平行的任意截面的任意处的400μm²的面积的位错线数小于400。

2.如权利要求1所述的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，所述衬底上表面的平均位错密度小于衬底下表面的平均位错密度。

3.如权利要求2所述的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，所述衬底上表面的位错密度波动度范围等于或小于所述衬底下表面的位错密度波动度范围。

4.如权利要求1或2所述的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，所述衬底上表面实施了研磨加工。

5.如权利要求1或2所述的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，所述衬底的下表面实施了研磨加工。

6.如权利要求1或2所述的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，所述衬底上表面为(0001)的III族面。

7.如权利要求1或2所述的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，所述衬底的厚度为200μm～1mm。

8.如权利要求1或2所述的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，所述III-V族氮化物系半导体晶体的组成用In_xGa_yAl_1-x-yN表示，其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1。

9.如权利要求1或2所述的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，所述III-V族氮化物系半导体晶体内掺杂了杂质。

10.一种III-V族氮化物系半导体，其特征在于，在由从衬底上表面到10μm深度的表面层的位错密度分布实质上均匀的III-V族氮化物系半导体晶体构成的自支撑的衬底上，设置有同质外延生长的III-V族氮化物系半导体层，所述衬底上表面的平均位错密度小于等于5×10⁶cm^-2，该位错密度分布实质上均匀是指，从所述衬底上表面到10μm深度的与所述衬底上表面平行的任意截面的任意处的400μm²的面积的位错线数小于400。