[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)，更具体地讲，涉及一种能够降低漏电流的TFT以及制造该TFT的方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)可包括使用形成在绝缘支撑基底上的半导体薄膜制造的场效应晶体管。像其它场效应晶体管一样，TFT可具有，例如，三个端—栅极、漏极和源极。TFT可用于开关操作。通过调节施加到栅极的电压以导通或截止在源极和漏极之间流动的电流来使用TFT以执行开关操作。TFT可用在传感器、存储器件、光学器件中，作为平板显示装置的开关单元和作为平板显示装置的驱动单元。

发明内容

因此，实施例涉及一种薄膜晶体管和一种制造薄膜晶体管的方法，其基本上克服了因现有技术的局限和不足而导致的一个或更多个问题。

因此，实施例的特征提供了一种包括多栅电极、至少一个轻掺杂区域和至少一个高掺杂区域的薄膜晶体管。

因此，实施例的另一特征提供了一种制造包括多栅电极、至少一个轻掺杂区域和至少一个高掺杂区域的薄膜晶体管的方法。

通过提供包括基底的薄膜晶体管(TFT)，可明白上述和其它特征和优点中的至少一个。所述TFT可包括在基底上的有源区域，所述有源区域包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、与源极区域或漏极区域相邻的至少一个轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域。所述TFT可包括在有源区域上的栅绝缘层、包括在栅绝缘层上的多个栅电极的多栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻。所述TFT可包括在所述多栅电极上的第一层间绝缘层以及源电极和漏电极，所述源电极延伸通过第一层间绝缘层并与源极区域接触，所述漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与漏极区域接触。

所述TFT可包括与所述多栅电极的对应的栅电极叠置的高掺杂区域的一部分。所述TFT可包括包含与所述漏极区域相邻的第一轻掺杂区域的至少一个轻掺杂区域。所述TFT还可包括包含与所述源极区域相邻的第二轻掺杂区域的至少一个轻掺杂区域。

源极区域、漏极区域、高掺杂区域和所述至少一个轻掺杂区域可以是用p型掺杂剂掺杂的。源极区域、漏极区域、高掺杂区域和所述至少一个轻掺杂区域可以是用n型掺杂剂掺杂的。

所述多栅电极可仅具有两个栅电极。所述多栅电极可包括三个栅电极。所述有源区域可包括多晶硅。一种有机发光装置可包括所述TFT。

通过提供制造包括形成在基底上的有源层的薄膜晶体管(TFT)方法，也可明白上述和其它特征和优点中的至少一个。所述方法可包括：在有源层上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成保护层；通过使用保护层作为掩模以高掺杂浓度掺杂有源层来在有源层中形成源极区域、漏极区域和高掺杂区域。所述方法可包括在去除保护层和形成源极区域、漏极区域和高掺杂区域之后，在基底上形成多栅电极。所述方法可包括：在有源层的由所述多栅电极暴露的未掺杂部分中形成至少一个轻掺杂区域；在形成所述至少一个轻掺杂区域之后，在所述多栅电极上形成第一层间绝缘层；形成延伸通过第一层间绝缘层并与源极区域接触的源电极，并形成延伸通过第一层间绝缘层且与漏极区域接触的漏电极。

所述制造TFT的方法可包括将高掺杂区域的一部分形成为与所述多栅电极中的对应的栅电极叠置。所述方法可包括将与有源层的形成至少一个轻掺杂区域的部分叠置的保护层的宽度形成为比与有源层的形成至少一个轻掺杂区域的所述部分相邻的栅电极的宽度宽。所述方法包括在基底和有源层之间形成基体层。

本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造该TFT的方法，其中，可降低漏电流并且可使迁移率和导通电流的损耗最小化。

附图说明

通过参照附图对示例性实施例进行的详细描述，上述和其它特征和优点对本领域技术人员来说将变得更加清楚，附图中：

图1示出了根据本发明实施例的薄膜晶体管(TFT)的剖视图；

图2示出了图1的TFT的有源层的剖视图；

图3示出了根据示例性实施例的TFT的剖视图；

图4示出了示出有机发光装置的像素单元的电路图；

图5A至图5E示出了制造根据示例性实施例的TFT的方法的剖视图；

图6A至图6D示出了制造根据示例性实施例的TFT的方法的剖视图；

图7A至图7C示出了示出根据示例性实施例和对比示例的漏电流Id和栅电压Vg间关系的曲线图。

具体实施方式