[发明专利]一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法

权利要求书

1.一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，其特征在于，该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU-8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。

2.根据权利要求1所述的基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，其特征在于，其步骤如下：

步骤1：在清洗过的石英衬底上旋涂SU-8负性光刻胶；

步骤2：利用接近式紫外光刻对SU-8负性光刻胶进行光刻，并经过曝光和显影，在SU-8负性光刻胶上制备出衍射光学元件图形；

步骤3：旋涂无机负性电子束抗蚀剂HSQ；

步骤4：对样品在同步辐射光刻站上进行X射线辐照，使得无机负性电子束抗蚀剂HSQ变性为类石英；

步骤5：在浓硫酸和双氧水混合液中，去除辐照后的SU-8负性光刻胶，形成位相型衍射光学元件。

3.根据权利要求2所述的基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，其特征在于，步骤1中所述旋涂SU-8负性光刻胶时，SU-8负性光刻胶的厚度在满足后续工艺要求的前提下，越厚越好，有利于提高后面湿法腐蚀的速度。

4.根据权利要求2所述的基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，其特征在于，步骤2中所述利用接近式紫外光刻对SU-8负性光刻胶进行光刻，并经过曝光和显影，形成光刻胶图形，由于SU-8负性光刻胶的分辨率在200nm，因此所制备的光刻胶图形最小尺寸大于200nm。

5.根据权利要求2所述的基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，其特征在于，步骤3中所述旋涂无机负性电子束抗蚀剂HSQ时，调整涂胶机转速，控制无机负性电子束抗蚀剂HSQ的厚度小于SU-8负性光刻胶图形的厚度。

6.根据权利要求2所述的基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，其特征在于，步骤5中所述浓硫酸和双氧水的摩尔比为1∶1，在温度为100℃的条件下，将样品浸入该浓硫酸和双氧水混合液中，去除辐照后的SU-8负性光刻胶，形成位相型衍射光学元件。