[发明专利]具有薄互连堆叠的中子传感器无效
| 申请号： | 201110061317.2 | 申请日： | 2011-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102157689A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | T·A·兰达佐;B·J·拉森;P·S·费克纳 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/535 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;蒋骏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 互连 堆叠 中子 传感器 | ||
1.一种方法，包括：
在衬底(12)上制造有源半导体层(14)；
在有源半导体层上沉积互连层(18)的堆叠16；以及
在互连层的堆叠上沉积中子转换层(20)；
其中，构造互连层的堆叠以使得在中子转换层中产生的至少约10％的次生带电粒子(36)在有源半导体层中具有足够的离子轨迹长度(TIon)，以在有源半导体层中生成可探测的电荷。
2.权利要求1的方法，其中互连层的堆叠具有小于约1.5微米的厚度。
3.权利要求1或2方法，进一步包括图案化中子转换层以使得电连接到互连层的堆叠的一个互连层的互连引线(28)。
4.权利要求1-3其中之一的方法，其中沉积衬底包括沉积块状半导体材料。
5.权利要求1-3其中之一的方法，其中沉积衬底包括在绝缘层(13)上沉积半导体材料。
6.一种半导体装置，包括：
衬底(12)；
位于衬底上的有源半导体层(14)；
沉积在有源半导体层上的互连层(18)的堆叠(16)；以及
沉积在互连层的堆叠上的中子转换层(20)；
其中，构造互连层的堆叠以使得在中子转换层中产生的至少约10％的次生带电粒子(36)在有源半导体层中具有足够的离子轨迹长度(TIon)以生成可探测电荷。
7.一种半导体装置，包括：
衬底(72)；
位于衬底上的有源半导体层(74)；
沉积在有源半导体层上的中子转换层(80)；以及
沉积在中子转换层上的互连层(78)的堆叠(76)。
8.权利要求6或7的半导体装置，其中互连层的堆叠具有小于约1.5微米的厚度。
9.权利要求6或7的半导体装置，其中衬底包括电绝缘层(13)。
10.权利要求6或7的半导体装置，其中衬底包括块状半导体材料。
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