[发明专利]一种热场可调的泡生法晶体生长炉无效
| 申请号： | 201110061061.5 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102677168A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 廖永建;徐炜;沈禹;孙矿 | 申请（专利权）人： | 上海晨安电炉制造有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201804 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可调 泡生法 晶体生长 | ||
1.一种热场可调的泡生法晶体生长炉，主要包括上保温屏升降装置(1)、炉体(2)、水冷电极(3)、真空管道(4)、发热体(5)、坩埚(6)、坩埚支撑系统(9)、下保温层(10)、侧保温层(11)、上保温层(13)和旋转及提拉装置(16)等，其特征在于上保温屏升降装置(1)与上保温层(13)相连，发热体(5)在坩埚(6)外侧且位于下保温层(10)、侧保温层(11)、上保温层(13)的内部，坩埚(6)位于坩埚支撑系统(9)上，炉体(2)设有观察孔(15)便于观察晶体(7)、熔体(8)、籽晶(12)、籽晶杆(14)，籽晶杆(14)通过旋转及提拉装置(16)可上下升降和旋转。
2.根据权利要求1所述的一种热场可调的泡生法晶体生长炉，其特征在于，上保温层(13)通过固定在炉体上的上盖升降装置(1)连接，其位置在距坩埚上缘位置0-100mm高度范围内位置及速度均可连续可调，使得坩埚及物料所处的散热边界条件发生改变，从而实现热场可调。
3.根据权利要求1所述的一种热场可调的泡生法晶体生长炉，其特征在于，上保温层(13)顶层是由一层1-5mm厚的耐高温金属板制成，其下连接有5-20层厚度0.3-2.0mm不等的钨钼保温层，底层为一块厚度在2-20mm的钼片或钨片，各层耐高温金属或钨钼片均开有相互错开的细缝以减少高温变形。
4.根据权利要求1所述的一种热场可调的泡生法晶体生长炉，其特征在于所述的上保温层(13)上开有通孔，通过观察窗(15)可观察炉内晶体(7)、熔体(8)、籽晶(12)、籽晶杆(14)的情况。
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