[发明专利]等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置

权利要求书

1.一种等离子蚀刻方法，通过对基板照射含有荷电粒子与中性粒子的等离子，而对所述基板进行等离子蚀刻，其特征在于：

通过调整支撑部支撑的所述基板面内的温度分布，来控制所述基板面内的所述基板与所述中性粒子反应的反应量的分布，

通过调整所述支撑部支撑的所述基板和以与所述支撑部对向的方式设置的电极的间隔，来控制所述基板面内的所述荷电粒子的照射量的分布。

2.根据权利要求1所述的等离子蚀刻方法，其中具有蚀刻步骤，利用照射的所述等离子，蚀刻所述基板上形成的遮罩膜，借此形成含有所述遮罩膜的线部，

所述蚀刻步骤通过控制所述反应量的分布，来控制所述基板面内的所述线部的线宽的分布，并通过控制所述照射量的分布，来控制所述基板面内的所述线部的高度的分布。

3.根据权利要求2所述的等离子蚀刻方法，其中所述蚀刻步骤包含：

第2遮罩膜蚀刻步骤，对所述基板照射含有第1荷电粒子与第1中性粒子的第1等离子，并利用照射的所述第1等离子，蚀刻所述基板上隔着第1遮罩膜而形成的第2遮罩膜，借此形成含有所述第2遮罩膜的所述线部；及第1遮罩膜蚀刻步骤，对形成着含有所述第2遮罩膜的所述线部的所述基板，照射含有第2荷电粒子与第2中性粒子的第2等离子，并利用照射的所述第2等离子来蚀刻所述第1遮罩膜，借此形成含有所述第1遮罩膜的所述线部；

所述第2遮罩膜与所述第1中性粒子反应的反应量的温度依存性，小于所述第1遮罩膜与所述第2中性粒子反应的反应量的温度依存性。

4.根据权利要求1所述的等离子蚀刻方法，其中调整所述温度分布，并且调整所述基板面内的供给到所述基板的处理气体的供给量或组成的分布，借此控制所述反应量的分布。

5.根据权利要求4所述的等离子蚀刻方法，其中具有蚀刻步骤，利用照射的所述等离子，蚀刻所述基板上形成的遮罩膜，借此形成含有所述遮罩膜且以第1间隔排列的第1线部与含有所述遮罩膜且以大于所述第1间隔的第2间隔排列的第2线部，

所述蚀刻步骤通过控制所述反应量的分布，来控制所述基板面内的所述第1线部及所述第2线部的各自的线宽的分布，并通过控制所述照射量的分布，来控制所述基板面内的所述第1线部及所述第2线部的各高度的分布，且所述第1线部与所述中性粒子反应的第1反应量的温度依存性，小于所述第2线部与所述中性粒子反应的第2反应量的温度依存性。

6.根据权利要求5所述的等离子蚀刻方法，其中所述蚀刻步骤包含：

第2遮罩膜蚀刻步骤，对所述基板照射含有第1荷电粒子与第1中性粒子的第1等离子，并利用照射的所述第1等离子，蚀刻所述基板上隔着第1遮罩膜而形成的第2遮罩膜，借此形成分别含有所述第2遮罩膜的所述第1线部与所述第2线部；及

第1遮罩膜蚀刻步骤，对形成着分别含有所述第2遮罩膜的所述第1线部与所述第2线部的所述基板，照射含有第2荷电粒子与第2中性粒子的第2等离子，并利用照射的所述第2等离子，蚀刻所述第1遮罩膜，借此形成分别含有所述第1遮罩膜的所述第1线部与所述第2线部；

所述第2遮罩膜与所述第1中性粒子反应的反应量的温度依存性，小于所述第1遮罩膜与所述第2中性粒子反应的反应量的温度依存性。

7.根据权利要求3或6所述的等离子蚀刻方法，其中所述第1遮罩膜含有无机膜，所述第2遮罩膜含有有机膜，

所述第1中性粒子含有氧自由基，

所述第2中性粒子含有氟自由基。

8.一种等离子蚀刻装置，通过对基板照射含有荷电粒子与中性粒子的等离子，而对所述基板进行等离子蚀刻，其特征在于包括：

支撑部，支撑所述基板；

电极，以与所述支撑部对向的方式而设置；

温度分布调整部，调整所述支撑部支撑的所述基板面内的温度分布；

间隔调整部，调整所述支撑部支撑的所述基板和所述电极的间隔；及

控制部，利用所述温度分布调整部来调整所述温度分布，借此控制所述基板面内的所述基板与所述中性粒子反应的反应量的分布，并利用所述间隔调整部调整所述间隔，借此控制所述基板面内的所述荷电粒子的照射量的分布。