[发明专利]有机发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201110058209.X | 申请日: | 2011-03-08 |
公开(公告)号: | CN102201432A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 任子贤;尹智焕;田炳勋;金范石 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;C07D209/88;C07D403/12;C07D403/14;C07C15/60;C07D235/08;C07D401/04 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 陈万青;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光装置,包括:
基板;
形成在所述基板上的第一电极;
第二电极;
所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;
所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输层,所述空穴传输层包括第一空穴传输单元,所述第一空穴传输单元包括:
包含空穴传输材料的第一空穴传输层;
形成在所述第一空穴传输层上并包含电荷发生材料的第三空穴传输层;和
形成在所述第三空穴传输层上并包含空穴传输材料的第五空穴传输层;和
所述第二电极和所述发光层之间的电子传输层,所述电子传输层包括电子传输材料和含金属的材料。
2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一空穴传输单元进一步包括选自由第二空穴传输层和第四空穴传输层组成的组中的至少一层,所述第二空穴传输层插入在所述第一空穴传输层和所述第三空穴传输层之间并包含所述空穴传输材料和所述电荷发生材料,所述第四空穴传输层插入在所述第三空穴传输层和所述第五空穴传输层之间并包含所述空穴传输材料和所述电荷发生材料。
3.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述空穴传输材料由选自由以下通式1和2组成的组中的一种表示:
通式1
通式2
其中,R10由-(Ar1)n-Ar2表示;
R16由-(Ar11)m-Ar12表示;
Ar1、Ar11、L1和L11各自独立地选自由取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C2-C30亚烯基、取代或未取代的C5-C30亚芳基、取代或未取代的C4-C30杂亚芳基和-N(Q1)-组成的组中;
n、m、a和b各自独立地为0至10的整数;
R1至R3、R11至R15、R17、R18、R21至R29、Ar2、Ar12和Q1各自独立地选自由氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C1-C30烷硫基、取代或未取代的C5-C30芳基、取代或未取代的C4-C30杂芳基和-N(Q2)(Q3)组成的组中;且
Q2和Q3各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C1-C30烷硫基、取代或未取代的C5-C30芳基或取代或未取代的C4-C30杂芳基,其中-(Ar1)n-中的n个Ar1基彼此相同或不同,-(Ar11)m-中的m个Ar11基彼此相同或不同,-(L1)a-中的a个L1基彼此相同或不同,且-(L11)b-中的b个L11基彼此相同或不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的