[发明专利]裸片封装结构以及相关的裸片封装结构制造方法

说明书

技术领域

本发明公开了裸片封装结构以及相关的裸片封装结构制造方法，特别公开了使用TSV(Through-Silicon Via，硅晶穿孔)的裸片封装结构以及相关的裸片封装结构制造方法。

背景技术

现今的DRAM结构常需要高密度或高速度的结构。为了满足高密度结构的需求，发展出了3D封装结构。与传统的2D封装结构比较起来，使用3D封装技术的芯片具有较短的导电路径以及垂直的导电结构。使得使用3D封装技术的芯片与传统2D封装结构比较起来具有较短的传导路径以及较少的信号延迟时间。此外，可以通过3D封装结构增加芯片表现。而且，芯片功率消耗、寄生电容以及电感也会随之减少。

TSV技术为一种3D封装技术。然而，现今的TSV技术仍然不稳定且具有高成本，使得现今的3D封装技术难以跟传统封装技术竞争。

发明内容

因此，本发明的目的之一为提供一种较简洁的3D封装结构。

本发明的一实施例揭露了一种裸片封装结构，包含：一第一裸片；一第二裸片；一核心材料层，位于该第一裸片和该第二裸片之间；至少一通孔，通过该第一裸片、该第二裸片以及该核心材料层；一金属材料，填入该通孔中，使得该第一裸片、该第二裸片以及该核心材料层可以彼此电连接；至少一信号传收单元，接触该金属材料；以及一介电层，包围该第一裸片，包含暴露该信号传收单元的至少一开口。

本发明的另一实施例揭露了一种裸片封装结构制造方法，包含：(1)形成具有通孔的一核心材料层，该通孔中具有金属，其特征是该金属具有一突出部分，该突出部分突出该核心材料层；(2)在该核心材料层的一第一侧提供一第一裸片，其特征是该第一裸片具有通孔，且该第一裸片的该通孔电连接至该第一裸片的一第一侧上的核心材料层的该通孔；(3)于该第一裸片上提供至少一信号传收单元，其特征是该信号传收单元位于该第一裸片的一第二侧上，其中该第一裸片的该第二侧相对于该第一裸片的该第一侧；(4)在该第一裸片和该核心材料层上形成一介电层，其特征是该介电层包含暴露该信号传收单元的至少一开口；以及(5)于该核心材料层的一第二侧上形成一第二裸片，其特征是该核心材料层的该第二侧相对于该核心材料层的该第一侧。

根据本发明的实施例，可以快速完成连接垫电路，以提供简单但完整的3D封装结构。

附图说明

图1和图2绘示了根据本发明的一实施例的裸片封装结构的剖面图。

图3a-10b绘示了根据本发明的一实施例的裸片封装结构制造方法。

其中，附图标记说明如下：

100                         裸片封装结构

101、601                    第一裸片

103、301                    核心材料层

105、913                    第二裸片

107、109、303、305、602、604通孔

110、307                   金属材料

111                        介电层

112、114、701、703         选通凸块

113、115、603              填充材料

117-127、907-911           连接垫

201                        第三裸片

401、501          光阻层

705、707          光阻材料

801               介电材料

915               填充材料

1001～1011        锡球

具体实施方式

在说明书及后续的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域的技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及前述的权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及前述的权利要求当中所提及的“包含”为一开放式的用语，所以应解释成“包含但不限定于”。