[发明专利]一种以复合二氧化钛薄膜为电介质的电容器制备方法无效
| 申请号： | 201110057643.6 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102097209A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 狄国庆;曹月华 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01G4/10 | 分类号： | H01G4/10;H01G4/33 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 氧化 薄膜 电介质 电容器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种以复合二氧化钛薄膜为电介质的电容器制备方法，其特征在于，包括下列步骤：
在所需制备薄膜电容器的衬底上，镀制下部电极；
在形成的下部电极上镀制电介质薄膜；
在电介质薄膜上镀制电容器的上部电极；
其中，所述电介质薄膜的镀制包括，
提供一真空腔体，该真空腔体内设有氧化钇与二氧化钛复合靶材、具有下部电极的衬底，所述氧化钇与二氧化钛复合靶材为将片状的氧化钇设置在二氧化钛靶材表面而成；
通入氧气体积含量在0.1～20%范围的氧气和氩气的混合气体，工作气压调控在0.2～2 Pa之间；
采用磁控溅射方法，在待镀膜衬底上形成Y2O3-TiO2复合薄膜层。
2. 根据权利要求1所述的以复合二氧化钛薄膜为电介质的电容器制备方法，其特征在于：磁控溅射时，溅射功率密度在3～8 W/cm2范围。
3. 根据权利要求1所述的以复合二氧化钛薄膜为电介质的电容器制备方法，其特征在于：在镀制电介质薄膜后，镀制上部电极前，对镀制有电介质薄膜的材料进行低温退火处理，促进金红石结构的二氧化钛结晶颗粒形成。
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