[发明专利]层叠体、基板的制造方法、基板及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201110056931.X 申请日: 2008-01-23
公开(公告)号: CN102176808A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 森本纯平;金田研一 申请(专利权)人: 住友电木株式会社
主分类号: H05K1/03 分类号: H05K1/03;H05K3/46;H01L21/48;H01L23/498;B32B15/08;B32B3/24
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 菅兴成;吴小瑛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 层叠 制造 方法 半导体 装置
【说明书】:

本申请是申请日为2008年1月23日、申请号为200880002467.2、发明名称为“层叠体、基板的制造方法、基板及半导体装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种层叠体、基板的制造方法、基板及半导体装置。

背景技术

近年来,随着对电子器件的小型化、高速化的需求,多层印刷布线板的高度密度安装和高密度布线不断发展,要求图案的微细化及通孔的小径化。为了与这些要求相对应,已在采用通过积层方式获得的多层印刷布线板。

作为该积层方式获得的多层印刷布线板的芯层的内层板,多采用使用玻璃纤维基材的刚性的两表面板或多层板。作为绝缘树脂层的积层,通过涂布树脂的方式、层叠膜状的树脂的方式、层叠带树脂铜箔的方式等形成。

该情形下,通常,在积层的绝缘树脂层中没有内置纤维基材。但是,该结构的积层方式获得的多层印刷布线板,具有如下述的缺点。没有内置纤维基材的积层,容易产生树脂裂纹。进一步地,在受到热冲击时,由于树脂的热伸缩,易产生树脂裂纹。

因此,考虑内置有纤维基材的积层。但是,在内置有纤维基材的积层中,在激光加工导通孔时,在基材表面或孔壁表面上产生胶渣(smear),因此产生电路欠损。因此,为了改善内置纤维基材的积层的激光加工性,提出了使用有机基材作为基材的方法(例如,参照专利文献1:JP特开平11-330707号公报)。

但是,在该使用有机基材的方法中,作为基材的刚性低,有时难以薄型化。

发明内容

为了改善上述问题,本发明人等成功开发了使用非常薄的玻璃纤维基材的积层,能够一定程度地提高激光加工性的改善的效果。但是,即使使用薄的玻璃纤维基材也未能完全抑制胶渣(smear)的发生。本发明的目的是,充分抑制激光加工使用25μm以下的纤维基材的树脂层时的胶渣(smear)的发生,进一步提高激光加工性。

上述目的,是通过下述的(1)~(13)中记载的本发明而达成。

(1)一种层叠体,其具有树脂层和金属层,该树脂层内置有用纤维基材构成的芯部,该金属层在上述树脂层的至少一个表面上接合,其特征在于,上述纤维基材的厚度在25μm以下,上述金属层具有对应于在上述树脂层上形成的导通孔的开口部。

(2)如上述(1)所述的层叠体,其中,上述纤维基材是玻璃纤维基材。

(3)如上述(1)所述的层叠体,其中,构成上述金属层的金属是铜和铜系合金中至少一者。

(4)如上述(1)所述的层叠体,其中,上述树脂层是由含有氰酸酯树脂的树脂组合物构成。

(5)如上述(1)所述的层叠体,其中,相对于上述树脂层的厚度方向,上述纤维基材偏置设置。

(6)如上述(5)所述的层叠体,其中,上述树脂层具有在用上述纤维基材构成的芯部的一侧表面上形成的第一树脂层及在另一侧表面上形成的第二树脂层,上述第一树脂层的厚度是5~15μm,上述第二树脂层的厚度是15~50μm。

(7)如上述(6)所述的层叠体,其中,构成上述第一树脂层的第一树脂组合物与构成上述第二树脂层的第二树脂组合物不相同。

(8)一种基板的制造方法,其特征在于,包括:用激光照射上述(1)所述的层叠体,从而在上述树脂层上形成导通孔的工序;

在上述导通孔形成后从上述层叠体除去上述金属层的工序。

(9)如上述(8)所述的基板的制造方法,其中,上述导通孔的开口直径为:在上述金属层侧是55~85μm、在上述金属层的相反一侧是35~65μm。

(10)一种基板,其特征在于,通过上述(8)所述的制造方法制得。

(11)一种基板,其具有芯基板、在该芯基板的至少一侧表面上形成的电路布线部和在该电路布线部上设置的树脂层,其特征在于,上述树脂层具有用纤维基材构成的芯部、该芯部的一侧表面上形成的第一树脂层和在上述芯部的另一侧表面上形成的第二树脂层,上述纤维基材的厚度为25μm以下,并且设置成使上述电路布线部在上述第二树脂层的一部分中填埋。

(12)如上述(11)所述的基板,其中,当将上述第一树脂层的厚度设为B2[μm]、上述第二树脂层的厚度设为B1[μm]、上述电路布线部的厚度设为t1[μm]且其残铜率设为S[%]、从上述电路布线部的上述第二树脂层侧的端面至上述芯部的上述第二树脂层的厚度设为t2[μm]时,

满足B2<B1并且B1=t2+t1×(1-S/100)。

(13)一种半导体装置,其特征在于,其是在上述(10)所述的基板上搭载半导体元件而成。

附图说明

图1是表示层叠体的一个实例的剖面图。

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